Partnerschaft im SiC-Bereich Cree arbeitet mit ABB zusammen

Durch die Zusammenarbeit, die Gregg Lowe (2.v.l.) und Dr. Rainer Käsmeier (3.v.l) unterzeichneten, beschleunigt sich der Markteintritt des Netzgeschäfts von ABB in den wachstumsstarken Sektor der Elektrofahrzeuge.
Durch die Zusammenarbeit, die Gregg Lowe (2.v.l.) und Dr. Rainer Käsmeier (3.v.l) unterzeichneten, beschleunigt sich der Markteintritt des Netzgeschäfts von ABB in den wachstumsstarken Sektor der Elektrofahrzeuge.

Cree erweitert sein Netz am Partnerschaften im SiC-Bereich und liefert in Zukunft SiC-MOSFETs für Hochleistungsanwendungen aus den Bereichen Stromnetz, Bahn, Traktion und E-Mobilität an ABB.

Cree und das Stromnetzgeschäft von ABB haben eine Partnerschaft angekündigt. Gemeinsam wollen sie die Verwendung von Siliziumkarbid im schnell wachsenden Hochleistungs-Halbleitermarkt ausbauen. Ihre Vereinbarung sieht die Integration von Wolfspeed-Leistungshalbleitern auf Siliziumkarbid-Basis von Cree in das Produktportfolio von ABB vor. Cree kann damit seine Kundenbasis erweitern und gleichzeitig den Einstieg von ABB in den schnell wachsenden Elektromobilitätsektor beschleunigen kann.

Crees Produkte werden dabei als Teil des Leistungshalbleiter-Produktportfolios von ABB in verschiedenen Bereichen eingesetzt, darunter Stromnetzte, Bahn und Traktion, Industrie und Elektromobilität. Insbesondere werden die Siliziumkarbid –Elemente von Cree in ABBs Leistungsmodule integriert

»Cree hat es sich zur Aufgabe gemacht, den globalen Halbleitermarkt beim Wandel zu energieeffizienteren, leistungsfähigeren Lösungen auf Siliziumkarbidbasis voranzutreiben«, so Cree CEO Gregg Lowe, »ABB hat eine lange Tradition als Weltmarktführer für industrielle Elektrifizierungslösungen, sodass der Ausbau unserer Zusammenarbeit mit ABB dazu beitragen wird, die Einführung transformativer und weltfreundlicher Alternativen im Energie- und Automobilsektor zu fördern«. »Gemeinsam«, so Lowe, »erschließt diese Partnerschaft im Bereich Siliziumkarbid neue Marktsegmente«.

»Die Partnerschaft mit Cree unterstützt unsere Strategie bei der Entwicklung energieeffizienter Siliziumkarbid-Halbleiter im Automobil- und Industriebereich«, versichert Dr. Rainer Käsmaier, Managing Director Semiconductor im Stromnetzgeschäft von ABB, »sie betont das Engagement von ABB für kontinuierliche technologische Innovationen, um die Zukunft einer intelligenteren und grüneren Gesellschaft zu gestalten«.

Siliziumkarbid-MOSFETs bieten gegenüber klassischen Silizium-Leistungshalbleitern eine signifikante Reduzierung der Schaltverluste, und ermöglichen wesentlich höhere Schaltfrequenzen. Dies hat zur Folge, dass Energie mit einem Wirkungsgrad von mehr als 99 Prozent umgewandelt werden kann. Dies reduziert die Energieverluste deutlich, und trägt zur Senkung der Kohlendioxid-Emissionen bei.

Einsetzbar sind SiC-MOSFET-Module in Traktionswechselrichtern für Züge, Hochspannungs-Gleichstrom Energiespeichern und –verteilung, Solar- und Windwechselrichtern, Energiespeichern und Transformatoren. Für Elektrofahrzeuge bedeutet dies eine höhere Reichweite sowie schnellere Ladezeiten bei gleicher Batteriegröße.