Intel und Samsung haben mögliche Kooperationen auf den Gebieten der nächsten Speicher-IC-Generationen, weiterer ICs, der fabless Produktion und des Foundry-Geschäfts besprochen.
Dazu war Pat Gelsinger, CEO von Intel, nach Seoul gereist und hat sich gestern am Firmensitz von Samsung mit Lee Jae-yong, Vice Chairman von Samsung, getroffen. Letzt Woche hatte bereits US-Präsident Joe Biden Korea besucht, wo er zusammen mit dem Koreanischen Präsidenten die Fab von Samsung in Pyeongtaek besichtigte.
Biden hatte dort vom Aufbau einer bilateralen Halbleiter-Allianz zwischen den USA und Korea gesprochen. Pyeongtaek sei ein gutes Beispiel für die Kooperation auf Technologieebne zwischen den USA und Korea. Die USA wollen die Lieferketten zwischen Ländern stärken, die dieselben Werte teilen. Samsung und Intel sind zwar Wettbewerber, aber auch wechselseitig aufeinander angewiesen. So ist Samsung als größter DRAM-Hersteller der Welt daran interessiert, für Intels neuen Prozessor-Generationen jeweils die neusten kompatiblen DRAN-Typen anbieten zu können. Beide Unternehmen sind auch daran interessiert, ihr jeweiliges Foundry-Geschäft ausbauen, ein Gebiet, auf dem die taiwanische TSMC mit Abstand die Nummer 1 weltweit ist.