Wer einen Blick auf die Liefermonitore namhafter Distributoren wirft, der weiß, dass einige Hersteller seit Monaten offenbar bei bestimmten Produktgruppen nur noch priorisieren. So soll es große asiatische Stromversorgungshersteller geben, die als Einzige noch von einem großen Leistungshalbleiter-Hersteller beliefert werden. Wer beispielsweise mit Stromversorgungsentwicklern spricht, der bekommt bereits seit Monaten zu hören, »dass MOSFETs ein ganz heikles Thema sind«.
Auch bei den Leistungshalbleitern scheint es eine Frage der jeweiligen Reaktionsgeschwindigkeit auf Marktentwicklungen zu sein, die sich entscheidend auf die Lieferfähigkeit von Herstellern auswirkt. »Unser Wachstum ist nicht durch Fertigungskapazitäten gedeckelt«, stellte etwa Balu Balakrishnan, CEO und President von Power Integrations schon Anfang Juni dieses Jahres auf der PCIM in Nürnberg fest. Balakrishnan weist darauf hin, »dass wir den Anstieg der Lieferzeiten frühzeitig registriert haben und darum auch frühzeitig 35 Millionen Dollar in einen Ausbau der Fertigungskapazitäten bei unseren Foundry-Partnern investiert haben. Damit wurden zusätzliche 8-Zoll-Kapazitäten geschaffen, die es uns weiterhin erlauben, unsere Kunden weltweit termintreu und zeitnah zu beliefern«.
Mit dieser Sicherheit im Rücken wird das Unternehmen auf der electronica eine neue Produktfamilie von Power-ICs für bürstenlose Gleichstrommotoren vorstellen und damit erstmals in dieses Produktsegment einsteigen. Die proprietäre FREDFET-Technologie dieser Produkte und ein hoher Integrationsgrad machen Kühlkörper entbehrlich und ermöglichen damit sehr kompakte Treiberplatinen. Die neue Produktfamilie ist mit allen Mikrocontrollertypen und Treiberalgorithmen kompatibel, einschließlich 6-Stufen- und sensorlosen FOC-Techniken.
Im Wettbewerb zwischen klassischen Siliziumlösungen sowie Wide-Band-Gap-Materialien wie SiC und GaN haben sich zuletzt interessante Allianzen gebildet. So sind Rohm Semiconductor und GaN Systems im Frühsommer dieses Jahres eine strategische Kooperation eingegangen. »Durch diese Kooperation hat sich Rohm den sofortigen Zugriff auf die robuste 650-V-GaN-Produktgruppe von GaN Systems gesichert«, erläutert Christian André, President von Rohm Semiconductor Europe, die Hintergründe dieser strategischen Kooperation. Zum Einsatz kommen die GaN-Schalter von GaN Systems heute bereits in Ladegeräten, USVs und Solarinvertern. Parallel zur Kooperation mit GaN Systems hat Rohm bekannt gegeben, eigene GaN-Aktivitäten im Spannungsbereich unter 150 V voranzutreiben.
Erfolgreich tätig ist Rohm seit Jahren bereits im SiC-Bereich. Seinen aktuellen Anteil am Weltmarkt sieht das Unternehmen derzeit bei 20 Prozent. Bis 2021 will Rohm seinen Anteil auf 30 Prozent steigern. Bis dahin, so Branchenkenner, wird der SiC-Weltmarkt die Umsatzschwelle von 1 Milliarde Dollar überschritten haben. Um die gesetzten Ziel zu erreichen, erweitert Rohm für 400 Millionen Dollar die Produktionskapazitäten in der Apollo-Fabrik in Fukuoka. Produktionsstart soll 2021 ein. Bis 2025 sollen dann noch einmal 600 Millionen Dollar in den Ausbau der SiC-Fertigungskapazitäten fließen. Auf diese Weise wird Rohm Semiconductor bis 2025 seine bisherige Fertigungskapazität für SiC-Leistungshalbleiter um den Faktor 16 erhöhen.
Während weltweit die Produktionskapazitäten für SiC hochgefahren werden, plant Dr. Alex Lidow, der Erfinder des Trench-MOSFETs und GaN-Pionier, den direkten Angriff auf seine ursprüngliche Erfindung. Mit der 5. Generation GaN-Leistungshalbleiter von EPC hat er nun die Preisparität zu herkömmlichen MOSFETs erreicht. »Ich wollte mich selbst schlagen und einen noch effizienteren Schalter als den Trench-MOSFET entwickeln und auf den Markt bringen.« Und damit nicht genug. Für 2020 hat er die 6. Generation angekündigt, die neben einem Einschaltwiderstand von nur noch 11 mΩ auch verschiedene integrierte Funktionen wie Treiber, Current-Sensing und PWM bieten wird.