Elektroniknet Logo

Gate-Treiber von Infineon

EiceDRIVER speziell für GaN-HEMTs mit Schottky-Gate

Infineon Technologies, EiceDRIVER, CoolGaN, 1EDN71x6G
Die EiceDRIVER-Familie 1EDN71x6G ist speziell für die CoolGaN-HEMTs mit Schottky-Gate von Infineon optimiert. Über wählbare Pull-up- und Pull-down-Treiberstärken lassen sich die Signalform und die Schaltgeschwindigkeit auch ohne Gate-Widerstände genau einstellen.
© Infineon Technologies

Um die Performance ihrer CoolGaN-Leistungstransistoren in Systemlösungen zu verbessern, hat Infineon eine Serie einkanaliger Gate-Treiber-ICs aus der EiceDRIVER-Familie vorgestellt.

Auch wenn die Gate-Treiber der Familie 1EDN71x6G auch zu anderen GaN-HEMTs und Silizium-MOSFETs kompatibel sind, hat Infineon sie doch strategisch am eigenen GaN-Produktportfolio ausgerichtet. Sie sollen die Leistungsfähigkeit von CoolGaN-HEMTs mit Schottky-Gate des Unternehmens in Systemlösungen optimieren und zielen auf Anwendungen ab wie DC-DC-Wandler, Motorantriebe, Telekommunikation, Server, Roboter, Drohnen, Akku-Werkzeuge und Klasse-D-Audioverstärker. Die Bauteile im PG-VSON-1-Gehäuse können ab sofort bestellt werden.

Die einkanaligen 200-V-Bausteine verfügen über wählbare Pull-up- und Pull-down-Treiberstärken, um die Signalform und die Schaltgeschwindigkeit auch ohne Gate-Widerstände optimieren zu können. Dadurch soll das Layout der Leistungsstufe verkleinert und gleichzeitig die Stückliste der Komponenten reduziert werden.

Die Variante mit der stärksten, d.h. schnellsten Ansteuerung, der 1EDN7116G, eignet sich für Halbbrücken-Konfigurationen mit umfangreicher Parallelschaltung. Die schwächste, d.h. langsamste Ansteuerungsvariante, der 1EDN7146G, kann dagegen für bestimmte Anwendungen mit begrenztem du/dt verwendet werden; darunter fallen Motorantriebe oder sehr kleine GaN-HEMTs (hoher RDS(on), niedrige QG). Jede Variante zeichnet sich durch unterschiedliche Abschaltzeiten aus, die proportional zur empfohlenen minimalen Totzeit, zur minimalen Impulsbreite und zur Ausbreitungsverzögerung sind.

Der differenzielle Logikeingang (Truly Differential Logic Input, TDI) eliminiert das Risiko einer falschen Triggerung aufgrund von Ground Bounce in Low-Side-Anwendungen. Somit kann der 1EDN71x6G auch High-Side-Anwendungen adressieren. Außerdem verfügen alle Varianten über eine aktive Miller-Klemmschaltung mit einem nach Herstellerangaben außergewöhnlich starken Pull-down, um parasitäres Wiedereinschalten (Parasitic Turn-on) zu vermeiden. Auf diese Weise soll eine zusätzliche Robustheit gegen Glitching in der Gate-Treiberschleife erreicht werden, insbesondere bei der Ansteuerung von Transistoren mit einem hohen Miller-Verhältnis.

Darüber hinaus bietet der 1EDN71x6G aktives Bootstrap-Clamping, um zu verhindern, dass der Bootstrap-Kondensator während der Totzeit überladen wird. Damit lässt sich die Bootstrap-Versorgungsspannung regeln, um das Gate des High-Side-Transistors zu schützen, ohne eine zusätzliche Regelschaltung zu benötigen. Bei Bedarf bietet eine optionale programmierbare Ladungspumpe mit einstellbarer negativer Abschaltspannung zusätzliche Immunität gegen Miller-induziertes Einschalten, beispielsweise wenn das Platinenlayout nicht vollständig optimiert werden kann.

Anbieter zum Thema

zu Matchmaker+

Das könnte Sie auch interessieren

Verwandte Artikel

Infineon Technologies AG, INFINEON Technologies AG Neubiberg