Die globale Datenexplosion erhöht den Druck auf Energieträger und Umwelt
Das Jahr 2021 hat uns vor Augen geführt, wie sehr wir auf Rechenzentren angewiesen sind, um sowohl unser Berufs- als auch unser Privatleben am Laufen zu halten. Die GaN-Technologie könnte Rechenzentren zu einem noch nachhaltigeren Eckpfeiler unserer Volkswirtschaft machen.
Wir stehen am Anfang einer tiefgreifenden Veränderung der Art und Weise, wie wir unsere Fahrzeuge motorisieren.
Elektroautos gehört die Zukunft, und jedes Jahr nehmen die Autohersteller mehr E-Fahrzeuge in ihr Programm auf. Bei herkömmlichen Elektroautos geht es vor allem darum, dass Energiespeicherung und Effizienz technologisch zusammenwirken, um die Reichweite der Fahrzeuge zu erhöhen. Ein derartiger Wandel kann nur gelingen, wenn es gelingt, politische Maßnahmen und technologische Innovationen auf radikal neue Weise miteinander zu verknüpfen.
Technologische Fortschritte bei Elektrofahrzeugen senken die Kosten und bieten die von vielen Verbrauchern geforderte größere Reichweite. Batterien mit höherer Leistungsdichte, leichtere Materialien und neue Wide-Bandgap-Halbleiterlösungen für den gesamten Antriebsstrang kurbeln gemeinsam den Markt an. Galliumnitrid ist ein Wide-Bandgap-Halbleitermaterial mit bemerkenswerten intrinsischen Eigenschaften. Er bietet zahlreiche Vorteile auf Systemebene für eine höhere Performance.
Da die GaN-Technologie nachweislich zuverlässiger und leistungsfähiger ist als die Siliziumtechnologie, könnte sie zunehmend zur bevorzugten Technologie in der Kfz-Leistungselektronik. Neue Fortschritte bei GaN-Leistungshalbleitern mit höherer Leistungsfähigkeit als herkömmliche Siliziumlösungen machen es möglich, leichtere, kleinere und wesentlich effizientere Onboard-Ladegeräte und Wechselrichter zu entwickeln. Die Automobilhersteller sind entschlossen, die Entwicklung von Elektrofahrzeugen voranzutreiben, und werden bis 2022 entsprechende Verträge über GaN-Kapazitäten abschließen wollen.