Leistungselektronik-Report
Der Power-MOSFET-Markt – Aktuelles und Trends
Fortsetzung des Artikels von Teil 1
SiC und GaN / Yole auf der PCIM
Da die Steigerung der Leistungsfähigkeit von Si-Leistungs-MOSFETs allmählich an ihre physikalischen Grenzen stößt, sucht die Leistungselektronik-Industrie nach Alternativen, um noch leistungsfähigere Applikationen realisieren zu können. Deshalb werden SiC- und GaN- Leistungshalbleiterbausteine immer interessanter für industrielle Designs. Die Analysten von Yole sehen in SiC- und GaN-Komponenten die nächste Entwicklungsstufe in der Leistungselektronik.
Allerdings sind sich die Experten sicher, dass in näherer Zukunft die Silizium-Leistungs-MOSFETs nicht flächendeckend von SiC- und GaN-Bausteinen abgelöst werden. Denn für die nächsten fünf bis zehn Jahre ist davon auszugehen, dass SiC- und GaN-Bausteine sich nur in bestimmten Bereichen durchsetzen werden, zum Beispiel in hochfrequenten 600-V-Anwendungen wie bei Ladeeinheiten für Elektrofahrzeuge und bei Stromversorgungen in Daten- und Rechenzentren.
Speziell bei Elektro- und Hybrid-Autos könnten Wide-Band-Gap-Leistungshalbleiter sich zukünftig immer mehr durchsetzen. Heute machen die Wide-Band-Gap-Technologien zwar noch weniger als 2 % des gesamten Leistungselektronik-Markts aus, aber je stärker die Nachfrage nach Elektroautos steigt, desto deutlicher dürfte sich das ändern.
Yole auf der PCIM Europe
Der Marktforscher Yole hat einen eigenen Stand auf der diesjährigen PCIM. Außerdem ist Yole auf dem „Industry Forum“ mit seinem „Power Electronics Market Briefing“ vertreten. Am Mittwoch, 17. Mai, um 10:00 Uhr werden dort Industrievertreter über das Thema „Status and Perspectives in Power Semiconductor (Si, SiC, GaN) Business diskutieren.
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