Embedded-Flash-Alternativen

Jetzt schießt der Markt nach oben

24. Mai 2023, 9:30 Uhr | Heinz Arnold

Auch TSMC und Infineon setzen für die neuen AURIX-Generationen auf der 28-nm-Ebene und darunter auf eine nichtflüchtige Alternative zu Flash-Speichern, in diesem Fall auf MRAMs.

Die Embedded-Versionen neuer nichtflüchtige Speicher-Techniken, die die Flash-Speicher ablösen können, werden bis 2028 kräftig zulegen und einen Umsatz von 2,7 Mrd. Dollar erreichen.

Das entspricht einem durchschnittlichen jährlichen Wachstum zwischen 2022 und 2028 von 133 Prozent. Auch die Stand-Alone-Versionen der neuen nichtflüchtigen Speicher-ICs – die Analysten von Yole Intelligence nennen sie Emerging Non-Volatile Memory (ENVM) – werden in diesem Zeitraum wachsen, mit jährlich 10 Prozent auf 297 Mio. Dollar 2028 allerdings sehr viel langsamer.

Als Intel im Juli 2022 die weitere Optane-Entwicklung stoppte, stellte das einen schweren Schlag für die Stand-Alone-ENVM dar.

Allerdings sieht das Bild für die embedded ENVM ganz anders aus. Denn embedded-Flash-Prozesse lassen sich nicht unter 28 nm skalieren. Die Analysten von Yole prognostizieren deshalb, dass führende Foundries 2028 mehr als 1 Mio. 12-Zoll-Wafer-Äquivalente produzieren, auf denen ICs mit embedded ENVM auf Basis verschiedener nichtflüchtiger Technologien entstehen. Dazu gehören Phase-Change-Memories (PCMs), Resistive Random Access Memories (ReRAMs) und Magnetoresistive Random Access Memories (MRAMs). Sie werden zwischen 2022 und 2028 um nicht weniger als 94 Prozent pro Jahr auf 2,7 Mrd. Doller wachsen. ReRAMs werden dann, gemessen am Wafer-Volumen, auf einen Anteil von 60 Prozent kommen. Den MRAM-Speichern prognostizieren die Analysten einen Anteil von 25 Prozent.

Auf 450.000 Wafern werden 2028 Controller mit embedded ENVM gefertigt, auf 420.000 Wafern analoge ICs mit embedded ENVM.

Der Controller-Markt wächst derzeit kräftig, sie werden zunehmend mit Prozessen unter 40 nm hergestellt. Embedded-Speicher sind dort erforderlich, um geringe Latencies bei geringer Leistungsaufnahme zu erreichen sowie um robuste Sicherheitsfunktionen integrieren zu können.

Ende vergangenen Jahres hatten beispielsweise Infineon und TSMC erklärt, die embedded Speicher auf de den nächsten Generationen der AURIX-Prozessoren von Infineon mit Hilfe der ReRAM-Technik von TSMC zu integrieren. Sie betrachten die embedded ReRAM-Speicher als einen wichtigen Schritt, um embedded Memories auf 28 nm und darunter zu skalieren. Das zeige laut Yole, dass die embedded ENVM kräftig an Fahrt aufnehmen.

Auch TSMC und Infineon setzen für die neuen AURIX-Generationen auf der 28-nm-Ebene und darunter auf eine nichtflüchtige Alternative zu Flash-Speichern, in diesem Fall auf MRAMs.