NXP und TSMC

Erstes Embedded-MRAM für Automotive auf 16-nm-FinFET-Basis

16. Mai 2023, 9:43 Uhr | Irina Hübner

NXP arbeitet mit TSMC an der Entwicklung des branchenweit ersten Embedded-MRAM (Magnetic Random Access Memory) Speichers in 16-nm-FinFET-Technologie. Mit MRAM können Automobilhersteller neue Funktionen schneller auf den Markt bringen, OTA-Updates beschleunigen und Produktionsengpässe überwinden.

Mit der Umstellung auf das softwaredefinierte Fahrzeug (SDV) müssen Automobilhersteller mehrere Generationen von Software-Upgrades auf einer einzigen Hardware-Plattform unterstützen. Die Kombination der leistungsstarken S32-Automobilprozessoren von NXP mit schnellen und besonders zuverlässigen nichtflüchtigen Speichern der nächsten Generation in 16-nm-FinFET-Technologie bietet eine ideale Hardware-Plattform für diesen Übergang.

MRAM kann 20 MB Code in weniger als drei Sekunden aktualisieren, im Vergleich zu Flash-Speichern, die dazu etwa eine Minute benötigen. Das minimiert die mit Software-Updates verbundenen Ausfallzeiten und ermöglicht es OEMs, lange Modulprogrammierzeiten zu vermeiden. Darüber hinaus ist MRAM eine sehr zuverlässige Technologie für den Einsatz in Fahrzeugen. Sie erreicht bis zu eine Million Aktualisierungszyklen und damit eine bis zu 10-mal höhere Lebensdauer als Flash und andere neue Speichertechnologien.

Automobilhersteller können mit softwaredefinierten Fahrzeugen neue Komfort-, Sicherheits- und Bedienfunktionen über Over-the-Air-Updates (OTA) einführen. Das verlängert die Lebensdauer des Fahrzeugs und steigert seinen Funktionsumfang, seine Attraktivität und seine Rentabilität. Mit der zunehmenden Verbreitung softwarebasierter Funktionen in Fahrzeugen wird die Häufigkeit von Aktualisierungen zunehmen. Damit werden die Vorteile von MRAM wie Geschwindigkeit und Ausfallsicherheit weiter an Bedeutung gewinnen.

Die 16-nm-FinFET-Embedded-MRAM-Speichertechnologie von TSMC bietet eine Lebensdauer von einer Million Zyklen, Unterstützung von Reflow-Lötverfahren und eine 20-jährige Datenspeicherung bei 150 °C. Damit übertrifft sie die strengen Anforderungen an Automobilanwendungen.

Verfügbarkeit des Embedded-MRAM

Die Prototypen sind bereits fertiggestellt und werden gerade ausgewertet. Die ersten Produktmuster sollen voraussichtlich Anfang 2025 für Kunden verfügbar sein.