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Infineon/TSMC

RRAM-Technologie für Automotive-Anwendungen

25. November 2022, 13:30 Uhr | Iris Stroh

Infineon und TSMC wollen die nicht-flüchtige RRAM-Speichertechnologie in die nächste Generation der AURIX-Mikrocontroller implementieren.

Infineon Technologies und TSMC wollen die Resistive Random Access Memory (RRAM) Non-Volatile Memory (NVM)-Technologie von TSMC in die nächste Generation der AURIX-Mikrocontroller (MCU) von Infineon implementieren.

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Embedded-Flash-Mikrocontroller sind seit Einführung der ersten Motormanagementsysteme die wichtigsten Bauteile der elektronischen Steuergeräte (Electronic Control Units, ECU) in Kraftfahrzeugen. Sie sind wichtige Komponenten für saubere, sichere und intelligente Autos und werden in Antriebssystemen, Fahrdynamikregelung, Fahrerassistenz und Karosserieanwendungen eingesetzt. Darüber hinaus ermöglichen die Bauteile wichtige Innovationen im Automotive-Bereich im Hinblick auf die Elektrifizierung, neue E/E-Architekturen und das automatisierte Fahren. Die meisten MCU-Familien auf dem Markt basieren derzeit auf der Embedded-Flash-Speichertechnologie. RRAM ist für Embedded-Speicher der nächste Schritt und ermöglicht eine weitere Skalierung auf 28 nm und darüber hinaus.

Die AURIX TC4x-Mikrocontroller von Infineon kombinieren die Leistungserweiterung mit den neuesten Trends in den Bereichen Virtualisierung, Sicherheit und Netzwerkfunktionen. Dadurch wird die nächste Generation von Software-definierten Fahrzeugen und neue E/E-Architekturen ermöglicht. TSMC und Infineon haben erfolgreich die Grundlage für die Einführung von RRAM im Automotive-Bereich geschaffen. Dadurch werden die AURIX-Mikrocontroller auf eine größere Technologie- und Lieferbasis gehoben. RRAM bietet eine hohe Störfestigkeit und ermöglicht bitweises Schreiben ohne Löschen. Die Ausdauer- und Datenspeicherleistung ist vergleichbar mit der Leistung der Flash-Technologie.

Verfügbarkeit

Infineon liefert bereits Muster der AURIX TC4x-Familie auf Basis der 28-nm-eFlash-Technologie von TSMC an erste Kunden aus. Die ersten Muster, die auf der 28-nm-RRAM-Technologie basieren, werden Ende 2023 verfügbar sein.