NAND-Flash-Speicher-ICs
Ende des Engpasses in Sicht
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Die Hersteller fahren NAND-Fertigung kräftig hoch
Den Anteil der 3D-NAND-Flash-Speicher schätzen die Analysten von DRAMeXchange 2017 auf 50 Prozent. Im kommenden Jahr aber werden html" href="http://www.elektroniknet.de/anbieterkompass/hynix-semiconductor-deutschland-8868545.html">SK Hynix, die Toshiba-Western Digital-Alliance und die Micron-Intel-Alliance ihre 3D-Fertigung hochfahren. Deshalb werde der Anteil der 3D-NAND-Speicher 2018 auf 70 Prozent wachsen.
Samsung hat bereits im dritten Quartal die Fertigung von 3D-NAND-Flash-ICs mit 64 Layern in Stückzahlen aufgenommen. Im vierten Quartal werde das Unternehmen bereits 50 Prozent der Kapazität für diesen Speichertyp vorsehen, im kommenden Jahr 60 bis 70 Prozent.
SK Hynix produziert derzeit vor allem 3D-NAND-ICs mit 48 Layern. Im kommenden Jahr wollen die Koreaner die Produktion von 72-Layer-Typen hochfahren. Insgesamt werde Hynix im vierten Quartal 20 bis 30 Prozent der NAND-Kapazität für die 3D-Typen nutzen und diesen Anteil 2018 auf 40 bis 50 Prozent steigern.
Toshiba und Western Digital fertigten während der ersten Hälfte 2017 ebenfalls vor allem NAND-Flash-ICs mit 48 Layern. Ende des Jahres werde es sich bei rund 30 Prozent der produzierten NAND-ICs um 3D-Typen handeln. Im vierten Quartal 2018 sollen es bereits mehr als 50 Prozent sein.
Toshiba hatte im März mit dem Bau der Fab 6 in Yokkaichi begonnen, einem Joint-Venture mit Western Digital/SanDisk. Allerdings hatte sich das Verhältnis zwischen Western Digital und Toshiba im Verlaufe der Querelen um den Verkauf von Toshiba Memory abgekühlt, um es vorsichtig zu formulieren. Inzwischen hat Toshiba die Speicher-Sparte an das Konsortium um Bain Capital verkauft und es ist noch nicht abzusehen, welche Auswirkungen dies auf die gemeinsame Fab 6 nehmen wird. Ursprünglich war geplant, die Fab 6 2019 hochzufahren.
Micron and Intel haben laut DRAMeXchange ihren 32-Layer-3D-NAND-Flash-Prozess in der ersten Hälfte 2017 hochgefahren und sind im dritten Quartal auch zum 64-Layer-Prozess übergegangen, der nun auch reif für die Fertigung in Stückzahlen sei. Im vierten Quartal werden Intel und Micron 40 bis 50 Prozent ihrer Kapazitäten für die 3D-NAND-Speicher nutzen, im vierten Quartal 2018 wollen sie auf 60 bis 70 Prozent kommen.
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