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Interview mit Dan Kinzer

»Silizium sollte sich warm anziehen«

19. Mai 2016, 9:09 Uhr | Ralf Higgelke

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Fortsetzung des Artikels von Teil 2

"AllGaN" ist kosteneffizient

In einer Pressemeldung Ihres Unternehmens werden Sie mit den Worten zitiert, dass AllGaN den Weg für kosteneffektive und leicht zu handhabende leistungselektronische Systeme bahnen werde. Bitte erklären Sie uns das etwas genauer.

AllGaN ist insoweit kosteneffektiv, weil Anwender den Treiberbaustein von ihrer Stückliste streichen können. Hinzu kommt, dass wir mit einer Foundry zusammenarbeiten mit guten und kosteneffizienten Prozessen sowie gut ausgelastetem Standard-6-Zoll-Equipment. Unser Foundry-Partner hat in den letzten sieben Jahren wohl etwa 100 Millionen Dollar in GaN-Prozesse und Ausrüstung investiert. In Summe führt das dazu, dass wir all unsere Schaltkreise ohne viel zusätzliche Kosten auch auf dem Chip unterbringen können. Dem Anwender steht ein leistungsfähigeres Komplettpaket zu etwa gleichen Systemkosten zur Verfügung.

Einfach zu handhaben sind unsere Bausteine, weil es keine triviale Aufgabe ist, einen Treiber für einen GaN-Schalter zu implementieren. Mit CMOS-Treibern aus Silizium ist es nicht möglich, die Schaltperformance zu erreichen, für die GaN eigentlich gedacht ist. Wir sprachen ja schon darüber, dass das Gate-Oxid sehr empfindlich ist. Das Über- und Nachschwingen zu kontrollieren, ist mit solchen Treibern wesentlich aufwendiger. Den Treiber auf dem gleichen Chip zu haben ist also wirklich vorteilhaft.

In der schon erwähnten Pressemeldung behaupten Sie, Galliumnitrid habe das Potenzial, Silizium in der Leistungselektronik zu ersetzen. Auf der letzten SEMICON Europe im Oktober 2015 meinte ein hochrangiger Infineon-Manager, Silizium bleibe noch ein weiteres Jahrzehnt das Arbeitspferd der Leistungselektronik. Wie stehen Sie zu dieser Aussage?

Silizium überspannt ein sehr breites Anwendungsspektrum und ist zweifelsfrei das dominierende Halbleitermaterial heute. Und es wird in einigen Anwendungsbereichen noch weitere Verbreitung finden. Gestern auf der Podiumsdiskussion sagte ich bereits, dass Silizium-IGBTs für Anwendungen mit hohen Spannungen und Strömen sowie moderaten Schaltfrequenzen einfach großartig ist. Niederspannungs-MOSFETs aus Silizium eignen sich hervorragend für Point-of-Load-Wandler. Daher denke ich, dass uns Siliziumbauteile in der Leistungselektronik noch länger erhalten bleiben werden.

Aber in Bereichen, in denen GaN seine Stärken hat, also im Spannungsbereich von hundert bis tausend Volt und Leistungen bis einigen Kilowatt, denke ich, muss sich Silizium warm anziehen, denn Galliumnitrid kommt stark auf.

Vielen Dank für das Gespräch.

Das Interview führte Ralf Higgelke.