Galliumnitrid: Schnell und mit Potenzial
Licht aus dem Schatten des Siliziums
Fortsetzung des Artikels von Teil 5
Literatur
[1] R. Reiner, P. Waltereit, B. Weiss, M. Wespel, R. Quay, M. Schlechtweg, M. Mikulla, O. Ambacher: Integrated reverse-diodes for GaN-HEMT structures. In Proceedings of the ISPSD, pp.45–48, 2015.
[2] M. Wespel, M. Dammann, V. Polyakov, R. Reiner, P. Waltereit, B. Weiss, R. Quay, M. Mikulla, O. Ambacher: High-voltage stress time-dependent dispersion effects in AlGaN/GaN HEMTs. DOI: 10.1109/IRPS.2015.7112787, IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2015. Vol.2 : Monterey, California, USA, 19–23 April 2015, ISBN: 978-1-4673-7362-3, ISBN: 978-1-4673-7363-0, S.705-709.
[3] R. Reiner, P. Waltereit, B. Weiss, M. Wespel, M. Mikulla, R. Quay, O. Ambacher: Monolithic GaN-on-Si half-bridge circuit with integrated freewheeling diodes. PCIM Europe 2016. Proceedings. International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, Nuremberg, 10–12 May 2016, Berlin: VDE-Verlag, 2016, ISBN: 978-3-8007-4186-1, ISBN: 3-8007-4186-5, S.319-325.
[4] B. Weiss, R. Reiner, P. Waltereit, R. Quay, O. Ambacher, A. Sepahvand, D. Maksimovic: Soft-switching 3 MHz converter based on monolithically integrated half-bridge GaN-chip. 2016 IEEE 4th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA’16), Fayetteville, USA, pp. 215–219, 2016.
Die Autoren
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Beatrix Weiss absolvierte das Studium der Elektrotechnik an der Rheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule (RWTH) Aachen im Jahr 2012 und promoviert seitdem auf dem Gebiet schnellschaltender Spannungswandler auf der Basis von Galliumnitrid am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF) in Freiburg.
Dr. Patrick Waltereit erlangte 1998 seinen Abschluss als Diplom-Physiker an der Freien Universität Berlin und promovierte 2001 über das Kristallwachstum von Gruppe-III-Nitriden. Im Anschluss war für einen Forschungsaufenthalt an der Universität von Kalifornien in Santa Barbara (USA). Seit 2004 arbeitet er als wissenschaftlicher Mitarbeiter am Fraunhofer IAF im Bereich der Hochfrequenz- und Hochvoltelektronik auf Basis von Gruppe-III-Nitriden.
PD Dr. Rüdiger Quay promovierte 2001 an der technischen Universität Wien. Im Jahr 2009 erhielt er die venia legendi für das Fach Mikroelektronik. Er ist gegenwärtig der Geschäftsfeldleiter für Leistungselektronik am Fraunhofer IAF und Dozent am Institut für Mikrosystemtechnik der Universität Freiburg.
Ruediger.Quay@iaf.fraunhofer.de
Richard Reiner absolvierte sein Masterstudium im Bereich Elektrotechnik an der Technischen Universität Berlin. Im Anschluss, zwischen 2007 und 2010, beschäftigte er sich als wissenschaftlicher Mitarbeiter am Hahn-Schickard-Institut mit der Entwicklung von elektronischen Sensorsystemen. Seit 2010 arbeitet er als wissenschaftlicher Mitarbeiter am Fraunhofer IAF in Freiburg an der Entwicklung und Charakterisierung von Galliumnitrid-Bauelementen für leistungselektronische Anwendungen.
- Licht aus dem Schatten des Siliziums
- Warum Galliumnitrid?
- Die Herausforderungen
- Das etwas andere Rückwärtsverhalten
- Monolitisch integrierte Leistungsschaltkreise
- Literatur
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