Seine Scale-iDriver-Familie hat Power Integrations um galvanisch getrennte Einkanal-Gate-Treiber-ICs erweitert, die IGBTs mit Sperrspannungen bis 1700 V ansteuern, wie sie üblicherweise in Anwendungen mit 400 bzw. 690 VAC Netzspannung eingesetzt werden.
Außerdem eignen sich die Bausteine von Power Integrations beispielsweise für Photovoltaik-Wechselrichter mit 3-Level-Topologie.
Die Treiber-ICs integrieren Power Integrations‘ FluxLink-Technik für die bidirektionale Kommunikation. Dadurch kann auf optoelektronische Komponenten sowie die zugehörige Kompensationsschaltung verzichtet werden.
Die ebenfalls verwendete Scale-Technik vereint alle wichtigen Gate-Treiber-Funktionen in einem einzigen ASIC. Dies führt zu Platzeinsparungen und höherer Zuverlässigkeit.
Untergebracht sind die Treiber-Bausteine im eSOP-Gehäuse mit über 9,5 mm Kriechstrecke. Mit seinem Comparative Tracking Index (CTI) von 600 bietet das Gehäuse eine hohe Spannungsfestigkeitsreserve und Systemzuverlässigkeit.
Die 1700-V-Scale-iDriver-ICs mit der Bezeichnung SID 1183 K, die sich gleichermaßen als IGBT- und MOSFET-Treiber eignen, sind für Betriebstemperaturen von -40 bis +125 °C und Schaltfrequenzen bis 75 kHz spezifiziert.
Sie liefern einen Gate-Strom von bis zu 8 A und unterstützen Leistungen bis 110 kW – ohne externen Booster. Mit externem Booster sind bis zu 30 A Gate-Strom für Anwendungen bis 400 kW möglich.