Aktuelle Leistungshalbleiter 2018

Kompakt, hochintegriert und sehr effizient

19. Februar 2018, 11:12 Uhr | Engelbert Hopf
Diesen Artikel anhören

Fortsetzung des Artikels von Teil 1

Weitere Neuheiten

IVN_Press_Visual.jpg
Eine ESD-Festigkeit von 30 kV, eine erhöhte Stoßstrombelastbarkeit von 3,5 A und eine verringerte Klemmspannung von 42 V bei 3,5 A bietet die neue Generation der Schutzdioden der Serie PESDxIVN.
© Nexperia

Littelfuse hat sein Portfolio an 1200-V-SiC-Schottky-Dioden um vier neue Produkte erweitert. So verfügen die Baureihen LSIC2SD120A08, LSIC2SD120A15 und LSIC2SD120A20 über Nennströme von 8, 15 und 20 A. Untergebracht sind sie in TO-220-2L-Gehäusen. Die LSIC2SD120C08-Baureihe mit einem Nennstrom von 8 A wird in einem TO-252-2L-Gehäuse angeboten. Die fusionierte p-n-Schottky-Gerätearchitektur der Gen2-SiC-Schottky-Dioden erhöht die Stoßfestigkeit und reduziert den Leckstrom der Produkte. Indem sie Standard-Silizium-Bipolar-Leistungsdioden durch die neuen Gen2-SiC-Schottky-Dioden ersetzen, können Entwickler Schaltverluste drastisch reduzieren, große Stoßströme ohne thermisches Durchgehen abfangen und bei Sperrschichttemperaturen von bis zu +175 °C arbeiten. Durch die höhere Sperrschichttemperatur sind eine höhere Designmarge und ein unkompliziertes Temperaturmanagement möglich.

Mit einem neuen linearen LED-Treiber-IC hat sich Infineon Technologies zu Beginn des neuen Jahres präsentiert. Ohne externen Leistungstransistor bietet der BCR430U nach Herstellerangaben den branchenweit besten Spannungsabfall zur Regelung eines LED-Stromes. Damit eignet sich der LED-Treiber-IC beispielsweise für LED-Streifen, LED-Gebäudebeleuchtungen, LED-Displays sowie Einzelhandels-Geräte- und Notfallbeleuchtung. Der Spannungsabfall am integrierten Treiber-IC kann auf 135 mV bei 50 mA absinken. Dies verbessert den Gesamtwirkungsgrad und ermöglicht die nötigen Reserven, um die LED-Vorwärtsspannungstoleranzen und -schwankungen in der Versorgungsspannung auszugleichen. Über einen hochohmigen Widerstand lässt sich der LED-Treiberstrom, der 5 bis 100 mA betragen kann, an einem eigenen Pin einstellen. Die Versorgungsspannung des Bausteins liegt zwischen 6 und 42 V.

Littelfuse_Power_Semiconductor_SiC_Schottky_LSIC2SD120A20_Image.jpg.jpg
Durch die fusionierte p-n-Schottky-Gerätearchitektur dieser Gen2-1200-V-SiC-Schottky-Dioden wird die Stoßfestigkeit erhöht und gleichzeitig der Leckstrom reduziert. Sie erlauben ein Arbeiten bei Sperrschichttemperaturen von bis zu +175 °C.
© Littelfuse
BCR Infineon.jpg
Am integrierten Treiber-IC kann der Spannungsabfall bis auf 135 mV bei 50 mA absinken. Dies verbessert den Gesamtwirkungsgrad und damit beispielsweise die Effizienz von LED-Streifen.
© Infineon

  1. Kompakt, hochintegriert und sehr effizient
  2. Weitere Neuheiten

Lesen Sie mehr zum Thema


Das könnte Sie auch interessieren

Jetzt kostenfreie Newsletter bestellen!

Weitere Artikel zu STMicroelectronics GmbH

Weitere Artikel zu Vishay Electronic GmbH

Weitere Artikel zu Littelfuse Automotive GmbH

Weitere Artikel zu INFINEON Technologies AG Neubiberg

Weitere Artikel zu Beleuchtung

Weitere Artikel zu Widerstände

Weitere Artikel zu Leistungshalbleiter-ICs