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STMicroelectronics

LDMOS-Technik von Innogration lizenziert

15. Februar 2018, 6:56 Uhr | Heinz Arnold

Mit dem chinesischen Hersteller Innogration Technologies hat STMicroelectronics ein Lizenz- und Kooperationsabkommen über die LDMOS-Technik des Unternehmens unterzeichnet.

Damit will ST in neue HF-Marktsektoren vordringen. Erst kürzlich hatte ST mit Macom ein Abkommen zur GaN-Technik geschlossen.

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LDMOS-Bauelemente kombinieren eine geringe Länge des leitenden Kanals mit einer hohen Durchbruchspannung und eignen sich daher gut für den Einsatz in HF-Leistungsverstärkern wie sie in Basisstationen für den Mobilfunk zum Einsatz kommen. LDMOS-Transistoren finden darüber hinaus in nichtzellulären Funksystemen, in der Luft- und Raumfahrttechnik sowie in der Industrie und in Geräten in der Medizin und der Wissenschaft Verwendung.

Erst kürzlich hatte html" href="http://www.elektroniknet.de/anbieterkompass/stmicroelectronics-application-gmbh-1000552.html">ST ein Lizenzabkommen mit Macom geschlossen, in dessen Rahmen es Transistoren auf Basis der GaN-Technik fertigt – und zwar erstmals auf 6-Zoll- und später auch auf 8-Zoll-Wafern, was die GAN-Transistoren laut beiden Firmen kostengünstiger werden ließe als LDMOS-Transistoren. Das eröffne den neuen Transistoren laut John Crouteau, CEO von Macom, erstmals den Weg in Massenanwendungen wie Basisstationen. Für diese Markt erhält Macom die GaN-Transistoren exklusiv von ST, für andere Einsatzzwecke, beispielsweise in den vielversprechenden Markt für RF-Energy, wo die GaN-Transistoren das Potenzial haben, die Magnetrone für die Erzeugung von Mikrowellen verdrängen zu können, darf ST die GaN-Transistoren selber vermarkten. Wie John Crouteau gegenüber Markt&Technik erklärte, ist er sich sicher zusammen mit ST jetzt eine Funktionierende Lieferkette etabliert zu haben, um die GaN-Technik in die Mainstream-Anwendungen und neu entstehende Märkte wie RF Energy bringen zu können.

Derzeit zielen verschiedene Hersteller sowohl mit den etablierten LDMOS-als auch mit den neuen GaN-Transistoren auf den RF-Energy-Markt ab, etwa in Mikrowellenöfen, Plasmalampen, Zündsystemen für Verbrennungsmotoren, in der Medizintechnik und in Wärmeanlagen für einen weiten Bereich von Anwendungen in der Industrie. Innogration Technologies hat eigene LDMOS- und GaN-Transisotren und -Verstärker im Leistungsbereich zwischen 90 und 350 W für diese Anwendungen im Programm. Außerdem hat das Unternehmen mit dem GPAV09400 einen GaN-Verstärker für den Einsatz in Mikrowellenöfen angekündigt, der 400 W bei einer CW-Wirkungsgrad von 76 Prozent erreicht und bei einer Frequenz von 915 MHz (50 V) arbeitet.

Innogration Technologies mit Sitz in Suzhou ist laut eigenen Angaben das einzige asiatische Unternehmen, das sich gänzlich auf Leistungshalbleiter spezialisiert hat und alle Techniken von LDMOS über GaN bis zu GaAs und VDMOS anbieten kann. Innogration Technologies arbeitet ohne eigene Fab und hat sich auf die Entwicklung von HF-Leistungshalbleitern sowie auf das Design und die Fertigung von RF-Module und -Baugruppen spezialisiert.