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Neue Gehäusevarianten

1200-V-SiC-MOSFET von Wolfspeed

2. März 2017, 11:46 Uhr | Irina Hübner

MOSFETs für die Anwendungen der Zukunft: Mit dem neuen Baustein sollen sich Designs vereinfachen, höhere Frequenzen bei gleicher Effizienz erreichen und niedrigeren Systemkosten realisieren lassen.

Seine C3M-Plattform erweitert Wolfspeed um einen 1200-V-/75-mΩ-MOSFET mit neuen Gehäuseoptionen. Eine interessante Eigenschaft des Leistungsbausteins ist seine geringe Induktivität.

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Der neue 1200-V-SiC-MOSFET wird im 4L-TO-247-Gehäuse sowie im 7L-D2PAK-Gehäuse produziert. Die Bausteine basieren auf Wolfspeeds planarer C3M-MOSFET-Technologie der dritten Generation, die bereits in unterschiedlichen Automobil- und Industrie-Anwendungen verwendet wird.

Er verfügt über einen niedrigen On-Widerstand von 75 mΩ und eine geringe Gate-Ladung. Dadurch eignet er sich für den Einsatz in dreiphasigen, brückenlosen PFC-Topologien sowie AC/AC-Wandlern und Ladegeräten. Ein weiteres Merkmal des SiC-MOSFETs ist seine niedrige Gütezahl.

Das 4L-TO-247-Gehäuse reduziert Schaltverluste im Vergleich zu konventionellen TO-247-3-Gehäusen erheblich. Das oberflächenmontierbare 7L-D2PAK-Gehäuse, das speziell für Hochspannungs-MOSFETs entwickelt wurde, eliminiert die Source-Induktivität weitgehend, die bei anderen Gehäusetypen vorkommt. Es zeichnet sich durch einen um 52 % kleineren Footprint als D3PAK-Gehäuse aus. Möglich wird das durch die geringe Die-Größe sowie das hohe Sperrvermögen der planaren C3M-MOSFET-Technologie.

Der neue 1200-V-/75-mΩ-MOSFET ist in einem 4L-TO247-Gehäuse in Through-Hole-Technologie verfügbar und wird unter der Artikelnummer C3M0075120K gelistet. Bestellungen können bereits über verschiedene Distributoren vorgenommen werden.

Die oberflächenmontierbare Version C3M0075120 im 7L-D2PAK-Gehäuse soll innerhalb der nächsten Wochen auf den Markt kommen. Wie das 4L-TO247-Gehäuse verfügt auch die oberflächenmontierbare Version über einen Kelvin-Source-Pin, um Gate Ringing und Systemverluste zu reduzieren.