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Für leistungsfähige Sperrwandler

Neue 900-V-MOSFETs von STMicroelectronics

15. März 2017, 10:49 Uhr | Irina Hübner

Die DMesh-K5-Superjunction-MOSFET-Familie von ST wurde um 900-V-Ausführungen ergänzt.

Für die Entwicklung leistungsfähiger und effizienter Stromversorgungen stellt STMicroelectronics die 900-V-MDmesh-K5-Superjunction-MOSFETs vor.

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Mit ihrer Durchbruchspannung von 900 V eignen sich die MOSFETS für Systeme mit hohen Busspannungen. Erhältlich sind die Bausteine schon mit On-Widerstandswerten ab 100 mΩ (im DPAK-Gehäuse). Des Weiteren zeichnen sich die MOSFETs durch eine sehr niedrige Gateladung Qg aus.

Die Bausteine adressieren ein breites Produktspektrum: von Server-Netzteilen über 3-Phasen-Schaltnetzteile, Netzteile für LED-Beleuchtungen, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Solargeneratoren, Schweißgeräte und industrielle Antriebe bis hin zur Fabrikautomation.

So sind die MOSFETs in Sperrwandlernjeder Art einsetzbar: in Standard-, Quasiresonanz- und Active-Clamp-Varianten mit Leistungen von 35 W bis 230 W. Die geringen Eingangs- und Ausgangskapazitäten erlauben außerdem in LLC-Resonanz-Halbbrückenwandlern das Schalten im Spannungsnulldurchgang mit dem Resultat minimaler Energieverluste.

Zur MDmesh-K5-Superjunction-MOSFET-Familie von STMicroelectronics umfasst Transistoren mit Nennspannungen von 800 V, 850 V, 900 V, 950 V, 1050 V, 1200 V und 1500 V. Zu den Gehäuseoptionen zählen die Bauformen TO-220AB, TO-220FP, TO-247 Long Lead, IPAK und I2PAK sowie die oberflächenmontierbaren Leistungs-Gehäuse D2PAK und DPAK.