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Für höhere Leistungsdichte

IGBT-Module im 62-mm-Gehäuse

13. März 2017, 16:02 Uhr | Irina Hübner

Sowohl ein 1200-V- als auch ein 1700-V-Modul sind im 62-mm-Gehäuse erhätlich.

Infineon erweitert sein Angebot an IGBT-Modulen im 62-mm-Gehäuse. Die neuen Leistungsmodule sollen die steigende Nachfrage nach höherer Leistungsdichte bei gleicher Baugröße bedienen.

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Die höhere Leistungsdichte bei gleicher Größe wird ermöglicht durch eine größere Chipfläche und ein angepasstes DCB-Substrat im bisherigen Gehäuse. Typische Anwendungen für das Modul mit 1200 V Sperrspannung sind Antriebe, Solar-Wechselrichter und unterbrechungsfreie Stromversorgungen. Das Modul mit 1700 V Sperrspannung adressiert insbesondere Mittelspannungsantriebe.

Das 1200-V-Modul im 62-mm-Gehäuse erreicht einen maximalen Nennstrom von 600 A; beim 1700-V-Modul liegt der maximale Nennstrom bei 500 A.

Das mit Bodenplatte ausgestattete Gehäuse entspricht bei der Bemaßung dem Industriestandard und lässt sich daher einfach in bestehende Designs einbauen.
Angeboten werden auch zwei Varianten in der Ausführung »Common Emitter«, mit der sich eine 3-Level-Topologie (NPC2) aufbauen lässt. Dies kann vor allem für Anwendungen mit hohen Leistungen in den Bereichen Solar und USV interessant sein.

Die auf Infineons IGBT4 basierenden Leistungsmodule sind in Volumenstückzahlen erhältlich. Passend zu den neuen 62-mm-Modulen bietet Infineon für den Eingangsgleichrichter auch neue Thyristoren-/ Dioden-Module in 34-mm- und 50-mm-Gehäusen mit Löt-Bond-Technologie an.