IQE und SK siltron

Kooperation für Verbundhalbleiter

11. Oktober 2022, 7:35 Uhr | Heinz Arnold
Americo Lemos, CEO von IQE, und Yongho Jang, CEO von SK siltron, bei der Unterzeichnung der Kooperationsvereinbarung zur gemeondsamen Entwicklung von Epiwafern auf Basis von Galliumnitrid (GaN) und auf Siliziumkarbid (SiC).
Americo Lemos, CEO von IQE, und Yongho Jang, CEO von SK siltron, bei der Unterzeichnung der Kooperationsvereinbarung zur gemeinsamen Entwicklung von Epiwafern auf Basis von Galliumnitrid (GaN) und auf Siliziumkarbid (SiC).
© IQE/SK siltron

IQE hat eine strategische Kooperationsvereinbarung mit SK siltron über die Entwicklung und Vermarktung von Verbundhalbleiter-Produkten geschlossen.

IQE, Anbieter von Verbundhalbleiter-Wafern und Materialien für die Halbleiterindustrie, und SK siltron werden zusammen an Entwicklung und Lieferung innovativer Epiwafer auf Basis von Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) arbeiten, die die Basis für die Fertigung von HF-Komponenten für den Einsatz in der drahtlosen Kommunikation sowie für Komponenten der Leistungselektronik bilden. Diesen Bauelementen wird ein starkes Wachstum in den Bereichen Konsumgüter, Telekommunikation und Automobil prognostiziert, das Umsatzpotenzial beträgt mehrere Milliarden Dollar.  

»Wir werden die Synergien zwischen IQEs GaN-Erfahrung und dem Substratangebot von SK Siltron nutzen, um innovative Lösungen auf den Markt zu bringen. Die Expansion in Asien ist ein Schwerpunkt für IQE«, sagt Americo Lemos, CEO von IQE. »Über die Zusammenarbeit mit IQE werden wir eine breite Palette von Halbleitermaterialien entwickeln«, erklärt Yongho Jang, CEO von SK siltron.


 


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