IQE, britischer Hersteller von III-V-Verbundhalbleiter-Wafern, hat Tower Semiconductor wegen Patentrechtsverletzungen verklagt.
Das Unternehmen habe eindeutige Hinweise darauf, dass Tower sich widerrechtlich Zugang zu von IQE entwickelten Technologien verschafft habe, auf die IQE Patente hält. Das gelte insbesondere für die auf Basis von porösem Silizium arbeitenden Technologien, die IQE entwickelt hat, um sie im Umfeld von 5G und in Sensoren einzusetzen. Vor kurzem hatte Intel bekannt gegeben, Tower kaufen zu wollen, der Übernahmeprozess läuft gerade.
Mit der neuen Technik will IQE mit Soitec in Wettbewerb treten. Das französische Unternehmen bietet Substrate auf Basis ihre Smart-Cut-Technik an, auf deren Basis Komponenten für den Einsatz in Smatphones hergestellt werden können. Laut den Analysten von Numis Securities dominiert Soitec derzeit den Markt und dürfte pro Jahr einige hundert Millionen Dollar darüber generieren. IQE ist überzeugt, dass die auf Basis der porösen Siliziumtechnik gefertigten Substrate bei 5G-Frequenzen eine bessere Leistungsfähigkeit erreichen – bei sogar geringeren Kosten. IQE hat diese Technik allerdings noch nicht auf den Markt gebracht.
»Unsere eigenen Technologien, Prozesse und IP sind für das Unternehmen lebenswichtig, um unsere führende Marktstellung im Sektor der neusten Materialien für die Halbleiterindustrie weiter auszubauen. Wir werden sie mit allen zur Verfügung stehenden Mitteln schützen«, sagt Tom Dale, General Counsel & Company Secretary at IQE.
IQE hat die Klage gegen Tower beim U.S. Federal Court in Kalifornien eingereicht (case number 8:22-cv-00867), sie erstreckt sich von der Aneignung von Handelsgeheimnissen über Vertragsbruch, unfairen Wettbewerbsverhalten und absichtlichen Fehlverhalten, um wirtschaftliche Vorteile zu erlangen.