Für batteriebetriebene Anwendungen
StrongIRFET im neuen Gehäuse
Infineon ergänzt die StrongIRFET-Familie um einen 40-V-Baustein im neuen Gehäuse D2PAK 7pin+. Der MOSFET hat einen On-Widerstand von nur 0,65 mΩ, der damit um bis zu 15 % geringer ist als der On-Widerstand von MOSFETs im D2PAK-7pin-Gehäuse.
Auch der thermische Widerstand von der Sperrschicht zur Leiterplatte ist deutlich geringer, nämlich um bis zu 39 %. Das oberflächenmontierbare Gehäuse eignet sich unter anderem für Niederspannungsantriebe, batteriebetriebene Anwendungen und elektrische Kleinfahrzeuge.
Die Gate-Betriebsspannung liegt auf Logic Level, so dass der MOSFET direkt vom Mikrocontroller angesteuert werden kann.
Das neue Gehäuse bietet Platz für einen um 20 % größeren Chip – bei identischer Pinbelegung und Grundfläche wie beim Standard-Gehäuse. Also lassen sich D2PAK-7pin- und H2PAK-Gehäuse einfach damit ersetzen
Infineon bietet den StrongIRFET im neuen Gehäuse ab sofort an.
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