Interview mit Dr. Alex Lidow, EPC

»Der 48-V-Automotive-Markt ist ein GaN-Markt«

11. Juli 2019, 10:38 Uhr | Engelbert Hopf

Dr. Alex Lidow, Gründer und CEO von EPC, ist so etwas wie der Evangelist der GaN-Technologie. Seit der Gründung von EPC 2007 trieb er die Entwicklung von GaN-Lösungen unter 300 V voran.

Sein Ziel ist ein hochintegriertes GaN-Bauelement in Form eines SoC. Mit der Realisierung in Form eines echten Produkts rechnet er für 2022.

Markt&Technik: Sie haben zuletzt immer wieder davon gesprochen, dass Moore‘s Law im Leistungshalbleiterbereich zu neuem Leben erwache. Wie meinen Sie das?

Dr. Alex Lidow: Im klassischen Halbleiterbereich hat Moore‘s Law ja in letzter Zeit etwas an Dynamik verloren. Im Bereich Leistungshalbleiter sieht es nach meiner Meinung anders aus. Wir können die Performance der Leistungshalbleiter, sagen wir, in Schritten von zwei, drei Jahren deutlich steigern. Aktuell sind wir vom theoretischen Limit der GaN-Leistungshalbleiter noch um den Faktor 300 entfernt. Nach meiner Einschätzung wird Moore‘s Law im Bereich Leistungshalbleiter darum wohl noch die nächsten 10 bis 20 Jahre Bestand haben.

Aktuell sieht es so aus, als wenn 2019 das Jahr des SiC-Durchbruchs im Automotive-Bereich sein könnte. Was bedeutet das für GaN?

Das, was derzeit im SiC-Bereich passiert, ist mit Teslas Entscheidung, SiC-MOSFETs im Model 3 zu verwenden, verbunden. Lassen Sie es mich so sagen: Tesla hat nur eine Chance; die versucht es nun zu nutzen. Ein Automobilhersteller wie Toyota dagegen kann sich zurücklehnen und entscheiden, wann er welche Halbleitertechnologie mit welcher Antriebstechnologie kombiniert. Wir müssen uns noch mit Äußerungen zurückhalten, aber ich kann schon so viel sagen, dass wir mit sechs Tier-Ones aus dem Automotive-Bereich in engem Kontakt stehen.

Mögliche Bedenken aus dem Automotive-Bereich dürften darauf zurückgehen, dass bislang nur sehr wenige GaN-Leistungshalbleiter Automotive-Zulassungen vorweisen können. Wie weit ist EPC da inzwischen vorangekommen?

Wir bauen das Spektrum unserer GaN-Leistungshalbleiter für Automotive-Anwendungen Schritt für Schritt aus. Ich möchte aber an dieser Stelle auch betonen, dass der entstehende 48-V-Markt im Automotive-Bereich aus meiner Sicht ein ganz klarer GaN-Markt ist. In diesem Spannungsbereich können wir die Vorteile unserer Technologie voll ausspielen. In der Vergangenheit kamen die Kunden zu uns wegen der hohen Frequenzen und der sehr kompakten Abmessungen unserer Produkte. Vor diesem Hintergrund haben wir Lidar oder HighRel-Anwendungen realisiert, und Lidar, das muss ich sagen, ist wirklich GaN-crazy! Mit dem Siegeszug der 48-V-Konzepte im Bereich High-Power-Server und Automotive punkten wir gegenüber MOSFETs doppelt: Wir sind kleiner und wir bieten die höhere Performance. Bei den Anfragen, die wir bisher im 48-V-Bereich erhielten, konnten wir uns immer gegen die MOSFETs durchsetzen. Immer häufiger sehen wir auch Anfragen aus dem Bereich sehr leistungsfähiger DC/DC-Wandler.

Sie hatten ja bereits im Vorjahr zum Frontalangriff auf klassische MOSFETs geblasen. Eine wichtige Rolle in Ihrer Roadmap spielt die zukünftige Fertigung Ihrer GaN-Leistungshalbleiter der 7. Generation auf 8-Zoll-Wafern. Sind Sie da inzwischen fündig geworden?

Mit der 5. Generation, die wir im April 2015 vorgestellt haben, konnten wir erstmals GaN-Leistungshalbleiter billiger anbieten als vergleichbare MOSFETs. Mit der Einführung der 5. Generation sind wir also dazu übergegangen, LV-MOSFETs preislich direkt anzugreifen, und das mit Erfolg! Mit dem anstehenden Übergang zu 8-Zoll-Wafern, auf denen wir die 7. Generation fertigen werden, können wir diese Wafer nicht mehr bei Episil Technologies fertigen. Die Entscheidung für eine entsprechende 8-Zoll-Foundry wird noch in diesem Sommer fallen. Unsere bisherigen Produkte werden wir jedoch weiterhin bei Episil Technologies fertigen. Die Gründung von EPC 2007 wäre ohne die Unterstützung von Archie Hwang, dem Gründer von Episil Technologies, ja gar nicht möglich gewesen.