Hohe Leistungsdichte für EV-Anwendungen
Diodes-MOSFETs im PowerDI8080-Gehäuse
Mit dem PowerDI8080-5 bringt Diodes ein neues, für hohe Ströme taugliches, wärmeeffizientes Gehäuse für die Leistungselektronik in Elektrofahrzeugen auf den Markt. Der erste Baustein, der in diesem neuen Gehäuse ausgeliefert wird, ist der Automotive-konforme 40-V-MOSFET DMTH4M70SPGWQ.
Der MOSFET hat einen RDS(ON) von nur 0,54 mΩ bei einer Gate-Ansteuerung von 10 V und eine Gate-Ladung von 117 nC. Entwickler von Hochleistungs-BLDC-Motorantrieben, DC/DC-Wandlern und EV-Ladesystemen könnten mit dem Baustein die Systemeffizienz verbessern und sicherstellen, dass die Verlustleistung auf einem absoluten Minimum gehalten wird.
Das PowerDI8080-5-Gehäuse nimmt 64 mm² Platz auf der Leiterplatte ein, was 40 % weniger ist als beim Gehäuseformat TO263 (D2PAK). Die Off-Board-Bauhöhe beträgt nur 1,7 mm, und damit 63 % weniger ist als beim TO263. Kupfer-Clip-Bonding zwischen dem Chip und den Anschlüssen sorgt für einen niedrigen Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse von 0,36 °C/W. Dadurch lassen sich mit dem neuen Gehäuse Ströme von bis zu 460 A handhaben und eine achtmal höhere Leistungsdichte bereitstellen als mit einem TO263-Gehäuse.
Der DMTH4M70SPGWQ ist AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-geeignet und wird in IATF-16949-zertifizierten Einrichtungen gefertigt. Seine Gull-Wing-Anschlüsse erleichtern die optische Inspektion (AOI) und erhöhen die Zuverlässigkeit bei Temperaturwechseln.
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