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Interview mit Dr. Peter Wawer, Infineon

»Wir fühlen uns gut aufgestellt!«


Fortsetzung des Artikels von Teil 2

Neue 300-mm-Fab in Villach kommt auch SiC zugute

Obwohl der Anteil von Siliziumkarbid deutlich steigen wird, wird Infineon in Villach für 1,6 Milliarden Euro eine neue 300-Millimeter-Fab errichten [6]. Das ist demzufolge keine Investition in SiC oder GaN, sondern in Mosfet und IGBT. Die Silizium-Leistungshalbleiter sind also noch nicht am Ende, oder?

Dr. Peter Wawer: Absolut nicht! Bei aller Euphorie für Wide-Bandgap – also GaN und SiC – muss man feststellen, dass diese Materialien erst am Anfang der Marktentwicklung stehen. Derzeit liegt der Umsatz bei Wide-Bandgap weltweit im dreistelligen Millionenbereich, während Silizium allein bei Leistungshalbleitern Umsätze im Bereich von zweistelligen Milliardenbeträgen vorweisen kann. Selbst bei überproportionalen Wachstumsraten wird es also noch sehr viele Jahre dauern, bis Wide-Bandgap eine signifikante Rolle bei Leistungshalbleitern spielen wird.

Gleichzeitig muss man feststellen, dass sich auch die Bauteile aus Silizium weiterentwickeln. Gerade durch die Fertigung auf 300-Millimeter-Wafern entstehen hier Skalenvorteile. Wo also Kosten die dominante Rolle spielen und nicht die Performance, wird Wide-Bandgap auf absehbare Zeit keine Chance gegen Silizium haben.

Relevante Anbieter

Infineon Technologies, Villach
Bild 3: Die Simulation zeigt, wo die neue 300-mm-Fabrik (hinten links) am Infineon-Standort Villach in Österreich gebaut werden wird.
© Infineon Technologies

Mit welchen Produkten werden dann die bestehenden Fertigungskapazitäten in Villach gefüllt?

Mit Siliziumkarbid natürlich! (lacht) Um unsere Wirtschaftlichkeit zu erhöhen, werden wir die Produkte, die dort heute noch auf 150- und 200-Millimeter-Linien laufen auf 300 Millimeter migrieren. Damit wird das bestehende Equipment frei für Produkte, die sich wegen der verfügbaren Waferdurchmesser auf absehbare Zeit nicht auf 300 Millimeter migrieren lassen – also vorrangig Siliziumkarbid und Galliumnitrid.

Das ist integraler Bestandteil unseres Gesamtkonzeptes für den Standort. Denn durch die neue 300-Millimeter-Fab in Villach erhalten wir die Möglichkeit, bei den Verbundhalbleitern stark zu wachsen. Unsere neue Produktionsstätte ist damit ein klares Commitment und auch eine Investition in GaN und SiC.

Apropos 300 Millimeter: In Dresden wird ja schon seit einiger Zeit auf 300-Millimeter-Dünnwafern prozessiert [7]. Warum ist Infineon diesen Schritt gegangen und was waren die technischen Herausforderungen, die es zu meistern galt.

Moderne Mosfets und IGBTs sind vertikale Bauelemente, um den ohmschen Widerstand – also den RDS(on) – zu minimieren. Und da Silizium ein relativ schlechter elektrischer Leiter ist, bedeutet das: je dünner, desto besser. Daher sind wir schon vor vielen Jahren den mutigen Schritt gegangen und sind auf Dünnwafer umgestiegen – erst bei 150 Millimeter, dann bei 200 Millimeter. Und so war es die logische Konsequenz, diese Fertigungstechnik auf 300 Millimeter zu migrieren.

Infineon, Ploss, Angela Merkel
Bild 4: Dr. Reinhard Ploss (links), CEO von Infineon, erklärt Bundeskanzlerin Dr. Angela Merkel die Struktur eines Leistungshalbleiters auf einem 300-mm-Dünnwafer.
© Infineon Technologies

Aber bei 300 Millimetern Durchmesser ist ein Wafer, der weniger als 100 Mikrometer dick ist, natürlich sehr viel schwieriger zu prozessieren. Die Migration beinhaltet also viele Jahre Forschung und Entwicklung – sowohl intern als auch zusammen mit den Maschinenherstellern. Und dann galt es, diese Fertigungslinie nicht nur im Labor zum Laufen zu bringen, sondern in einer hoch automatisierten Massenfertigung, wie es sie nur in Dresden und bald auch in Villach gibt.

Wir sind schon ein wenig stolz darauf, dass wir es geschafft haben, unsere 300-Millimeter-Fab in Dresden über die letzten ein bis anderthalb Jahre der Marktentwicklung entsprechend hochzufahren. Dort können wir nun alle Power-Produkte fertigen – Mosfets und IGBTs. Allerdings haben wir auch gesehen, dass wir einen weiteren Standort wie Dresden brauchen, und die Entscheidung ist auf Villach gefallen. Unser Vorgehen dort: identisch. Wir werden also zunächst die Gebäudehülle erstellen und die Reinraumfläche dann sukzessive mit Anlagen ausstatten. Damit laufen wir nicht Gefahr, Geld für Ausrüstung auszugeben, die unproduktiv herumsteht.

Wagen wir noch einen Blick in die Zukunft. Wie wird Ihrer Meinung nach der Markt dann zwischen Silizium-IGBTs und SiC-Mosfets aufgeteilt sein?

Ich bin überzeugt, dass IGBTs nicht nur die nächsten fünf, sondern die nächsten zehn Jahre im einstelligen Prozentbereich wachsen werden. Wir peilen acht Prozent in Summe an. Bei Siliziumkarbid erwarten wir ein Wachstum im signifikanten zweistelligen Prozentbereich. Je nachdem, welchen Marktforscher Sie fragen und welches Segment Sie betrachten, liegen die Schätzungen zwischen 20 und 40 Prozent. Daher möchte ich bei Siliziumkarbid lieber keine genaue Prognose abgeben.

Die Prognosen zeigen also auch, dass in fünf Jahren Silizium immer noch mit deutlich über 80 Prozent den Markt dominieren wird. Aber Siliziumkarbid wird von quasi null auf einen niedrigen zweistelligen Prozentsatz bei den Marktanteilen steigen. Und das ist dann doch ein Markt, in dem wir gerne mitspielen wollen.

Herr Dr. Wawer, herzlichen Dank für das Gespräch.

Das Interview führte Ralf Higgelke.

Referenzen

[1] Ralf Higgelke; Wir müssen unser Systemverständnis noch weiter stärken

[2] Ralf Higgelke; Langfristiger Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer

[3] Harry Schubert; Cree kauft HF-Leistungshalbleitersparte von Infineon

[4] Heinz Arnold; 124 Mio. Euro für SiC-Spezialisten

[5] Ralf Higgelke; »Keine halben Sachen«

[6] Frank Riemenschneider; Infineon baut neue 300-mm-Chipfabrik in Österreich

[7] Ralf Higgelke; Volumenproduktion von MOSFETs auf 300-mm-Dünnwafern angelaufen


  1. »Wir fühlen uns gut aufgestellt!«
  2. Liefervertrag mit Wolfspeed, Übernahme von Siltectra
  3. Neue 300-mm-Fab in Villach kommt auch SiC zugute

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