Infineon kauft Siltectra 124 Mio. Euro für SiC-Spezialisten

Bald gehört der Campeon -- zumindest zu 93 % -- Infineon selbst, die seit dem Bezug Mieter waren.
Nach der gescheiterten Übernahme von Wolfspeed hatte sich Infineon über einen Vertrag die langfristige Lieferung von SiC-Wafern gesichert. Mit dem Kauf von Siltectra möchte das Unternehmen jetzt mehr SiC-Chips pro Wafer herausholen.

Mit der Übernahme will Infineon die Versorgung mit SiC-Produkten auf längere Sicht gewährleisten, denn Siltectra hat eine besondere Technik entwickelt.

»Cold Split« nennt sich das ein Verfahren zum Splitten von Siliziumkarbid-Wafern, mit dessen Hilfe die Anzahl der Chips verdoppelt werden kann, die sich aus einem Wafer gewinnen lassen. Ziel ist es, mit Hilfe der Cold-Split-Technologie, die Versorgung mit Siliziumkarbid-Produkten (SiC) auf längere Sicht zu gewährleisten. Mit dem Venture Capital-Investor MIG Fonds, dem bisherigen Haupteigner, wurde ein Kaufpreis von 124 Millionen Euro vereinbart.

»Diese Akquisition wird uns dabei helfen, unser Portfolio im Bereich des neuen Materials Siliziumkarbid auszubauen. Die Cold-Split-Technologie ergänzt unser Systemverständnis und Know-how im Bereich der Dünnwafer-Technologie«, sagt Dr. Reinhard Ploss, Vorstandsvorsitzender von Infineon. »Die höhere Verfügbarkeit von SiC-Wafern dank der Cold Split-Technologie wird das Hochfahren unserer SiC-Produkte gerade mit Blick auf den weiteren Ausbau der erneuerbaren Energien und den zunehmenden Einsatz von SiC im Antriebsstrang von Elektrofahrzeugen deutlich erleichtern.«

Siltectra wurde 2010 gegründet und verfügt über ein Patentportfolio mit mehr als 50 Patentfamilien. Das Start-up hat ein Verfahren entwickelt, mit dem kristalline Materialen im Vergleich zur üblichen Sägetechnik mit minimalen Materialverlusten gesplittet werden können. Diese Technologie kann auch beim Halbleitermaterial SiC angewendet werden, für das in den kommenden Jahren mit einer stark steigenden Nachfrage gerechnet wird. SiC-basierte Produkte werden heute zum Beispiel bereits in besonders effizienten und kompakten Fotovoltaikumrichtern verwendet. In Zukunft wird SiC gerade bei der Elektromobilität eine wachsende Rolle spielen. Die Weiterentwicklung der Cold Split-Technologie wird am bisherigen Siltectra-Standort in Dresden und am österreichischen Infineon-Standort Villach erfolgen. Die Anwendung im industriellen Maßstab wird innerhalb der nächsten fünf Jahre erwartet.

Infineon ist das einzige Unternehmen, das weltweit bereits Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Siliziumdünnwafern im industriellen Maßstab fertigt, was sich nun auf die Dünnwafer-Technik für SiC übertragen lässt. Weitere Anwendungen der Cold- Split-Technologie sind ebenfalls künftig möglich, zum Beispiel das Splitten von Rohlingen oder von anderen Materialen neben Siliziumkarbid.