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D3 Semiconductor

650-V-Superjunction-MOSFETs aus der Foundry

30. März 2017, 0:32 Uhr | Ralf Higgelke

Superjunction-MOSFETs für 650 V: +FETs von D3 Semiconductor

Mit D3 Semiconductor betritt ein neuer Teilnehmer den Markt für Leistungshalbleiter und bietet Superjunction-MOSFETs für 650 V in diversen Gehäusekonfigurationen. Einzigartig ist, dass das Unternehmen Fab-less ist und seine Bausteine der »+FET«-Familie in einer Foundry fertigen lässt.

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Zum Start bietet D3 Semiconductor ein Portfolio mehr als 50 +FET-Bauelemente mit 13 verschiedenen Einschaltwiederständen (RDS(ON)) im Bereich von 1 Ω bis hinunter zu 32 mΩ. Fünf Typen sind bereits verfügbar, der Rest wird im zweiten und dritten Quartal 2017 folgen. Die verfügbaren Gehäusetypen umfassen traditionelle Through-Hole- (TO-220/TO-220FP) wie auch SMD-Gehäuse (DPAK/D²PAK; QFN 5x6/8x8) sowie SMD-Gehäuse. Diese Bausteine sind darauf abgestimmt, in hart schaltenden Anwendungen einen möglichst hohen Wirkungsgrad zu erzielen. Darunter fallen PFC-Stufen und Wechselrichter für Telekommunikation, Enterprise Computing, USV- und Solaranlagen.

Tom Harrington, CTO des Unternehmens, spricht noch eine weitere Spezialität der Produkte an: »Wir wollen die DNA von Leistungshalbleitern grundlegend ändern, indem wir Mixed-Signal-Funktionen in Hochspannungs-Schaltelemente integrieren.«

Der Preis für einen 650-V-Superjunction-MOSFET mit 80 mΩ Einschaltwiderstand beträgt 1,84 US-Dollar (ab 1000 Stück), die typische Lieferzeit liegt bei 10 Wochen.