Richardson RFPD / Microsemi
Referenzdesign für SiC-MOSFET-Treiber
3. März 2017, 12:23 Uhr |
Irina Hübner
Richardson RFPD hat ein neues Dual-SiC-MOSFET-Treiber-Referenzdesign von Microsemi im Programm. Der Vorteil des Referenzdesigns: Es adressiert verschiedene Topologien.
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Die Referenz-Treiberlösung MSCSICMDD/REF1 soll eine verlässliche Möglichkeit bieten, Siliziumcarbid-MOSFETs in verschiedenen Topologien zu evaluieren.
Das Evaluierungs-Board benötigt eine 24-V-Spannungsversorgung und ist dafür optimiert, SiC-Bausteine bei hoher Geschwindigkeit mit Entsättigungsschutz zu treiben.
Das Design des Boards kann abhängig von den individuellen Systemanforderungen weiter vereinfacht werden.
Zu den Merkmalen des Referenzdesigns von Microsemi zählen:
- konfigurierbare Gate-Treiber Spannung von -5 bis +20 V am Ausgang
- galvanische Isolation von mehr als 2000 V bei beiden Gate-Treibern
- jeweils bis zu 6 W Gate-Treiber-Leistung (zweimal), 8 W mit Modifizierung
- Spitzenausgangsstrom bis 30 A
- maximale Schaltfrequenz von mehr als 400 kHz
- Kurzschlussschutz, programmierbarer Totzeitschutz, Fehlersignal, UVLO-Schutz
Neben dem Board bietet Richardson RFPD auch Design-Unterstützung an.
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