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Interview mit Dr. Helmut Gassel

Infineons 300-mm-Dünnwafer-Projekt in Dresden läuft nach Plan

23. April 2015, 14:03 Uhr | Engelbert Hopf

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Fortsetzung des Artikels von Teil 1

High-Power-IGBT-Modulplattform als PCIM-Highlight

Anfang 2013 wurden die Pläne für eine 300-mm-Dünnwafer-Fertigung in Dresden bekannt gegeben. Wie weit ist dieses Projekt inzwischen fortgeschritten, und wann ist mit ersten Produkten zu rechnen?

Wir befinden uns hier vollständig im Plan. Aktuell werden erste 1200-V-Produkte qualifiziert. Ich gehe davon aus, dass die Qualifikation und der Transfer von Villach nach Dresden noch in diesem Jahr vollendet werden. Mit einer Serienproduktion auf 300-mm-Dünnwafern in Dresden rechne ich dann ab 2016. Entscheidend dabei ist aber das weitere Marktwachstum. Wir haben klar kommuniziert, dass wir nur zusätzliches Stückzahlwachstum, sei es im MOSFET-, sei es im IGBT-Bereich, auf die 300-mm-Dünnwafer übertragen werden. Gegenüber einem 8-Zoll-Wafer stellt ein 12-Zoll-Wafer einen Volumenfaktor von 2,25 dar. Dieses Volumen will erst durch zusätzliches Wachstum gefüllt werden. Da meines Wissens bislang keiner unserer Wettbewerber ähnlich Pläne kommuniziert hat, bauen wir unseren Vorsprung im Dünnwafer-Bereich weiter aus.

Zu den aktuellen Neuheiten, die sie auf der diesjährigen PCIM präsentieren wollen, zählt eine High-Power-IGBT-Modulplattform. Worin liegt das Besondere dieser Neuvorstellung?

Dieser Entwicklung lag der Gedanke zugrunde, eine Gehäuseplattform zu schaffen, die es erlaubt, den gesamten Leistungsbereich der IGBT-Chips von 3300 bis 6500 V abzudecken und die gleichzeitig ein möglichst flexibles Parallelschalten der Chips ermöglichen soll. Es geht also um ein optimales Skalieren in einer Dimension mit Hilfe einer kompakten Packaging-Bauform. Das Konzept hat auch den Wettbewerb überzeugt. Mitsubishi Electric hat bereits angekündigt, ein kompatibles Gehäuse für diese High-Power IGBT-Modulplattform auf den Markt zu bringen.

In den letzten Jahren haben Halbleiter-Hersteller immer wieder angekündigt, neu in den IGBT-Markt einzusteigen oder wieder in diesen Markt einsteigen zu wollen. Inwieweit sind diesen Ankündigungen Taten gefolgt?

Als sich der IGBT-Markt in den Jahren 2009 bis 2011 sehr dynamisch entwickelte, hat das bei dem einen oder anderen Interesse an einem Einstieg in das Produktsegment geweckt. In den Jahren 2012/13 verschlechterte sich dieses Wachstumsumfeld jedoch deutlich. Inzwischen hat sich der Markt nachhaltig erholt, aber es steckt deutlich weniger Phantasie darin als 2010/11. Sowohl im Niedrig- als auch im Hochvolt-Bereich stehen heute Angebote von asiatischen Herstellern zur Verfügung, die noch vor einigen Jahren mit diesen Produkten nicht auf dem Markt waren. Um sich aber wirklich einen relevanten Marktanteil zu sichern, muss man mit langfristigen Zielen in diesen Markt einsteigen. Wir werden sehen, wie nachhaltig das Engagement dieser Neueinsteiger ist.

In der Vergangenheit wurden Foundries von einigen Herstellern, wie auch International Rectifier, zum Abfedern von Produktionsspitzen genutzt. Halten Sie es für möglich, dass Foundries im Leistungshalbleiter-Geschäft in Zukunft eine größere Rolle spielen?

Wenn es um IGBTs geht, gehe ich nicht von einer solchen Entwicklung aus. Das funktioniert üblicherweise in der Zusammenarbeit mit einem Hersteller, aber die differenzierenden Eigenschaften der Produkte sind zum Teil so groß, dass ich das nicht für möglich halte. Anders als bei klassischen CMOS-Prozessen werden bei IGBTs die Produkteigenschaften durch das Beherrschen der Technologie und des Fertigungsumfeldes bestimmt. Es genügt also nicht, nur Geld in Fertigungs-Equipment zu stecken.