Infineon
GaN-Produkte jetzt in der Serienproduktion
Auf der electronica 2018 zeigt die Infineon die Vorteile seiner aktuellen Galliumnitrid-Lösungen. Die CoolGaN-600-V-E-Mode HEMTs und die GaN-EiceDRIVER-ICs erreichen eine hohe Leistungsdichte, die kompakte und leichte Designs bei geringen Gesamtsystemkosten ermöglicht.
Die CoolGaN-600-V-E-Mode HEMTs
Die neuen CoolGaN 600-V-E-Mode HEMTs arbeiten mit einem zuverlässigen selbstsperrenden Konzept, das für schnelles Ein- und Ausschalten optimiert ist. Sie ermöglichen einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Leistungsdichte in Schaltnetzteilen (SMPS) und zeichnen sich durch ihre branchenweit überzeugenden FOM-Werte aus. Zu den weiteren Merkmalen zählt die geringe Gate-Ladung.
Die CoolGaN-600-V-E-Mode HEMTs von Infineon ermöglichen sehr hohe Wirkungsgrade der Leistungsfaktorkorrektur (PFC), nämlich mehr als 99,3 Prozent bei 2,5 kW PFC. Außerdem lässt sich eine Leistungsdichte von mehr als 160 W/in³ für 3,6 kW LLC mit mehr als 98 % Wirkungsgrad erzielen. Die lineare Ausgangskapazität führt zu einer deutlich geringeren Totzeit in resonanten Topologien als bisherige Lösungen.
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CoolGaN ist zuverlässig
Im Rahmen des Qualitätsmanagementprozesses von Infineon wird nicht nur der CoolGaN-Baustein, sondern auch sein Verhalten in der Anwendungsumgebung gründlich getestet. Dadurch kann sichergestellt werden, dass CoolGaN-Schalter die erforderlichen Qualitätsstandards erfüllen.
Die 600-V-CoolGaN-Schalter sind als 70-mΩ- und als 190-mΩ-Variante in SMD-Gehäusen erhältlich. Zielanwendungen sind Hochfrequenz-Applikationen wie Datenzentren, Telekommunikationsgleichrichter, drahtlose und drahtgebundene Ladegeräte sowie hocheffiziente Schaltnetzteile.
Die GaN-EiceDRIVER-ICs
Genau abgestimmt auf die CoolGaN E-Mode-HEMTs sind die neuen EiceDRIVER-ICs von Infineon. Die Treiberbausteine 1EDF5673K, 1EDF5673F und 1EDS5663H wurden entwickelt, um einen robusten und effizienten CoolGaN-Schaltbetrieb zu gewährleisten sowie um die Time-to-Market zu verkürzen.
Im Gegensatz zu Gate-Treiber-ICs für Leistungs-MOSFETs liefern die für CoolGaN optimierten Gate-Treiber-ICs eine negative Ausgangsspannung zum schnellen Ausschalten von GaN-Schaltern. Während der gesamten Zeit, in der der Schalter ausgeschaltet sein soll, können die GaN-EiceDRIVER-ICs die Gate-Spannung fest auf Null halten. Dies schützt den GaN-Schalter auch beim ersten Impuls vor Fehleinschaltungen, und ist für einen robusten SMPS-Betrieb unerlässlich.
Die GaN-Gate-Treiber-ICs ermöglichen konstante GaN-HEMT-Schaltanstiegsraten – praktisch unabhängig von Tastverhältnis oder Schaltfrequenz. Die galvanische Trennung stellt die Betriebssicherheit bei hartem Schaltbetrieb sicher und sorgt für Schutz zwischen der Primär- und Sekundärseite eines Schaltnetzteils sowie bei Bedarf zwischen der Leistungs- und der Logikstufe.
Der GaN-EiceDRIVER 1EDF5673K ist in einem 13-poligen LGA-Gehäuse der Größe 5 mm x 5 mm, der 1EDF5673F in einem 16-poligen DSO-150-mil-Gehäuse und der 1EDS5663H in einem 16-poligen DSO-300-mil-Gehäuse erhältlich.
Verfügbarkeit der GaN-Produkte
Die neuen CoolGaN-600-V-E-Mode-HEMTs sind ab sofort verfügbar. Die siliziumbasierten GaN-EiceDRIVER-ICs können vorbestellt werden.
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