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99 % Wirkungsgrad mit GaN-HEMTs

Digitales PFC-Referenz-Entwicklungsboard

Das Referenz-Board von Future Electronics zeigt die Leistungsmerkmale von GaN-HEMTs.
Das GaNdalf-Board basiert auf einer brückenlosen Totem-Pole-PFC-Topologie.
© Future Electronics

Die Entwicklungsplattform GaNdalf von Future Electronics kann als Vorlage für Hochleistungsschaltungen zur brückenlosen Leistungsfaktorkorrektur bei Lasten bis 1 kW dienen.

Das Referenz-Entwicklungsboard demonstriert die Eigenschaften von GaN-Leistungskomponenten: Die beiden zum Einsatz kommenden X-GaN-HEMTs des Typs PGA2E078BA von Panasonic zeichnen sich durch ihre niedrige Ausgangskapazität und die Zero Reverse Recovery aus.

Future Electronics hat beim GaNdalf-Board eine brückenlose Totem-Pole-PFC-Topologie implementiert. Für die digitale Steuerung benutzt das Board den digitalen Dual-Core-Signal-Controller dsPIC33H von Microchip. Für Zusatzfunktionen wie die Systemüberwachung und die Kommunikation steht noch Prozessorkapazität zur Verfügung.

Das GaNdalf-Board liefert Ausgangsspannungen bis 400 V DC und kann Lasten bis 1 kW speisen. Der THD-Wert liegt bei unter 10 %. Es arbeitet an Netzspannungen von 85 bis 265 V AC, erzielt einen Leistungsfaktor von mehr als 0,98 sowie einen Wirkungsgrad in der PFC-Schaltung von über 99,0 %.

Für ausgesuchte Kunden will Future Electronics das Board im Laufe des ersten Quartals 2019 anbieten.

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