Warum RF-Power an Cree geht
Infineon: Kein Ausstieg aus 5G
Fortsetzung des Artikels von Teil 1
5G wird über 20 GHz erst interessant!
Für den nächsten entscheidenden Schritt in Richtung 5G sei Infineon aber auch nach dem Verkauf sehr gut aufgestellt. Er wird kommen, sobald die Kapazitätsgewinne in der Datenübertragung, die über die Ausrüstung der bestehenden Infrastruktur mit 5G-Modulen bis 6 GHz wieder an die Grenzen stoßen und zu Frequenzen bis über 20 GHz übergegangen werden muss, was ab 2021 der Fall sein werde. »Dann kommt es aber nicht mehr auf hohe Leistungen an, mehr als 1 W sind nicht erforderlich«, erklärt Ulrich Pelzer.
Weil bei so hohen Frequenzen die Reichweite beschränkt ist, muss dann eine neue Infrastruktur mit Femto- und Picozellen aufgebaut werden. Und genau dafür hat Infineon die richtigen Bausteine auf Siliziumbasis entwickelt, von den LNAs über Antennenschalter bis zu kompletten RF-Frontend-Modulen. »Überall wo es um Millimeter-Wellen geht, sind wir besonders gut aufgestellt«, sagt Pelzer. Spätestens wenn also das »wirkliche« 5G auf Frequenzbereichen von über 20 GHz losgeht, verspricht sich Infineon mit seiner Kompetenz in der Hochfrequenz ein gutes Geschäft.
SiC-Komponenten bleiben ebenfalls bei Infineon
Ein Bereich, der von dem Verkauf ebenfalls nicht betroffen ist, ist das SiC-Geschäft. Hier hatte Infineon mit Hochdruck eine neue Technik entwickelt, die sich von der Planartechnik von Cree deutlich unterscheidet. Infineon führt als Pluspunkt der eigenen SiC-Trench-Technik die hohe Stressresistenz dieser Komponenten an. Um künftig an die SiC-Wafer zu kommen, hatte Infineon erst kürzlich in bestem Einvernehmen mit Cree einen langfristigen Vertrag über die Versorgung mit SiC-Wafern geschlossen. Umgekehrt wird Infineon Wolfspeed weiter mit LDMOS-Wafern aus der Fab in Regensburg versorgen sowie Assembly und Test in Melaka/Malaysia durchführen.
Doch zurück zum Verkauf der RF-Power-Division: Cree wird im Zuge der Übernahme die Fab in Morgan Hill von Infineon übernehmen, in der das Unternehmen bisher Test und Packaging von LDMOS- und GaN-auf-SiC-Komponenten durchgeführt hat. Von dem Verkauf sind 260 Mitarbeiter weltweit betroffen.
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