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Rekordumsatz in diesem Jahr

Der DRAM-Markt am Wendepunkt

7. Dezember 2018, 10:52 Uhr | Heinz Arnold

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Wie schnell kommt China?

Die neuen DRAMs arbeiten je nach Typ an Spannungen zwischen 1,25 und 1,35 V. Den Durchsatz gibt Micron mit bis zu 20 Gbit/s an. Bei Datenraten zwischen 10 und 14 Gbit/s erreichen sie Bandbreiten zwischen 40 und 56 GB/s. In KI-Systemen beschleunigen die GDDR6-DRAMs die Verarbeitung in der Computer-Vision oder im autonomen Fahren. Im Grafikbereich unterstützen sie die neusten GPU-Typen für verbessertes Rendering in 4K-Video, Virtual und Augmented Reality, aber auch die neusten Mining-Server für das Schürfen von Kryptowährungen. In Network-Interface-Cards (NIC) erhöhen sie die Netzwerkbandbreite und in RAID-Controllern erlauben sie den besseren Zugriff auf die Daten sowie erweiterte Datenschutzmaßnahmen. Im Auto schließlich verdoppeln sie laut Micron die Bandbreite der bisherigen, auf LPDDR5 basierenden Systeme.

Kürzlich hatte Micron auch bekannt gegeben, dass sich das Unternehmen aus der Hybrid-Memory-Cube-Initiative (HMC) zurückziehen und sich dafür auf die High-Performance-Computing- und Netzwerksysteme der kommenden Generationen konzentrieren werde. »Wir werden unsere erfolgreiche Grafik-Produktlinie (GDDR) über die traditionellen Grafikanwendungen hinaus und in Richtung extremer High-Performance-Anwendungen entwickeln. Außerdem wird Micron in High-Bandwidth-Memory-Entwicklungsprogramme investieren«, erklärte dazu Dr. Andreas Schlapka, Director of Networking der Compute and Networking Business Unit von Micron.

Wie schnell kommt China?

Was tut sich in China? Derzeit ist vor allem von zwei Herstellern zu hören. Innotron (Hefei Chang Xin) hat sich auf mobile DRAMs fokussiert, JHICC auf spezielle DRAMs. JHICC hatte den Bau einer neuen Fab im Juli 2016 angekündigt und wollte 5,3 Mrd. Dollar in die 300-mm-Fab in Jinjiang in der Provinz Fujian investieren. Laut DRAMeXchange werde JHICC in diesem Jahr mit der Fertigung starten, Stückzahlen sollen dann in der ersten Jahreshälfte 2019 die Fab verlassen. Damit sei das Unternehmen etwas hinter den ursprünglichen Zeitplan zurückgefallen. Insgesamt sollen 8 Mrd. Dollar in die Fertigung über die nächsten Jahre fließen.

Auch Innotron hat eine 300-mm-Fab gebaut und die Produktion bereits im Januar 2018 mithilfe eines 22-nm-Prozesses aufgenommen. Die Volumenproduktion von 8-GB-DDR4-DRAMs will das Unternehmen im kommenden Jahr starten. Sie soll zunächst auf 20.000 Wafer-Starts pro Monat kommen, was vergleichsweise wenig ist. Bis 2021 will Innotron einen 17-nm-Prozess entwickelt haben. Ähnlich wie JHICC ist auch Innotron gegenüber dem ursprünglichen Zeitplan zurückgefallen, wie DRAMeXchange berichtet.

Weil die Firmen die DRAM-Techniken und die Fertigungen von Beginn auf neu entwickeln müssen und die Kapazitäten zu Beginn nicht hoch sein werden, werden sie nach den Analysten für Firmen wie Micron, Samsung und SK HJynix in den kommenden Jahren kaum zu einem ernsthaften Wettbewerber aufsteigen. Währenddessen fließt anscheinend viel Geld in den Aufbau weiterer Kapazitäten. Tsinghua hat Pläne bekannt gegeben, nach denen es 24 bis 30 Mrd. Dollar in neue Speicher-IC-Fabs in Wuhan und Nanjing stecken will.

Es kann sich also einiges tun. Andererseits ist Bill McLean, President von IC Insights, davon überzeugt, dass die Investitionen allein von Samsung es den chinesischen Wettbewerbern sehr schwer machen würden, sowohl im DRAM- als auch im NAND-Markt schnell Fuß zu Fassen. »Ohne ein Joint-Venture mit einem führenden Hersteller wäre dies kaum möglich.« Es gibt aber auch Analysten, die annehmen, dass die Kapazität chinesischer Hersteller bis 2020/2021 rund 250.000 Wafer pro Monat erreicht, was dann auf den Markt durchaus Auswirkungen haben dürfte.