powered by Fortec AG

التحول من NAND إلى DRAM

سامسونج تنهي إنتاج ذاكرة 2D-NAND

9 مارس 2026، الساعة 9:30 صباحًا | هاينز أرنولد
مصنع شركة سامسونج بهواسونغ
© Samsung

تعتزم شركة سامسونج للإلكترونيات إيقاف إنتاج ذاكرة 2D-NAND Flash في خط التصنيع الخاص بها لرقائق 12 بوصة في مدينة هواسونغ الكورية. وبدلًا من ذلك ستستخدم هذه المنشأة مستقبلًا لإنتاج دوائر ذاكرة أكثر تقدمًا باستخدام عمليات تصنيع حديثة مثل 1c-DRAM.

وبهذا القرار تدخل سامسونج مرحلة جديدة في استراتيجيتها الصناعية، إذ ستتخلى رسميًا عن تصنيع ذاكرة NAND المسطّحة (Planar NAND) وتعيد توزيع قدراتها الإنتاجية نحو عُقد ذاكرة أكثر تطورًا.

ووفقًا لتقرير نشرته Digitimes نقلًا عن مصادر في الصناعة، تخطط سامسونج لإيقاف تشغيل خط الإنتاج ذي الـ 12 بوصة في مارس 2026. وتبلغ القدرة الإنتاجية لهذا الخط ما بين 80 ألفًا و100 ألف رقاقة شهريًا.

وكانت الشركة قد أبلغت عملاءها بالفعل خلال عام 2025 بخطط إغلاق الخط، وهو ما يتوافق مع توقعاتها للربع الرابع من العام نفسه بإنهاء استخدام تقنية Planar NAND القديمة وتوجيه الاستثمارات نحو تقنيات أكثر تقدمًا.

وسيتم تعويض الطاقة الإنتاجية المفقودة في هواسونغ من خلال استثمارات إضافية في مصنع سامسونج في Xi’an بالصين، والذي ينتج حاليًا نحو 40٪ من ذاكرة NAND Flash لدى الشركة. ويجري حاليًا تحديث خطوط الإنتاج هناك لتصنيع شرائح 3D-NAND بارتفاع 200 طبقة.

نهاية عصر NAND المسطح

يمثل هذا القرار نهاية حقبة Planar NAND لدى سامسونج. فقد بدأت الشركة الإنتاج الكمي لذاكرة NAND بسعة 1 غيغابت في عام 2002، ثم قادت التحول في الصناعة عام 2013 إلى تقنية 3D-V-NAND عبر بنية تضم 24 طبقة.

وبعد 13 عامًا من إطلاق تقنية 3D-NAND، تقوم سامسونج الآن بإغلاق آخر خطوط إنتاجها الخاصة بالذاكرة المسطحة.

3D-NAND يحل محل NAND المسطح

كانت ذاكرة Planar NAND تُستخدم أساسًا في منتجات التخزين منخفضة التكلفة مثل وحدات USB. لكن الطلب عليها تراجع تدريجيًا مع انتقال معظم الشركات المصنعة إلى تقنية 3D-NAND.

ويرجع ذلك إلى أن تكديس طبقات الذاكرة عموديًا يسمح بزيادة كثافة التخزين بشكل كبير مقارنة بالتصميمات المسطحة.

كما أن شركات مثل Micron وSK Hynix أنهت بالفعل بين عامي 2020 و2022 انتقالها الكامل إلى محافظ منتجات تعتمد على 3D-NAND، وقلّصت إنتاج ذاكرة MLC planar نتيجة تغيّر هيكل التكاليف في السوق.

DRAM بدلًا من NAND: التركيز على HBM4

تخطط سامسونج لإعادة تجهيز خط الإنتاج في هواسونغ لتصنيع 1c-DRAM، مع زيادة الاستثمارات أيضًا في مصنعها بمدينة Pyeongtaek.

وكان مصنع P4 Fab في الأصل مصممًا لإنتاج DRAM وNAND إضافة إلى خدمات Foundry، إلا أن الشركة حوّلت تركيزه مؤخرًا بشكل أكبر نحو إنتاج DRAM.

ويتماشى هذا التحول مع استراتيجية سامسونج لتوسيع إنتاج ذاكرة HBM4 (High Bandwidth Memory)، والتي تُعد عنصرًا أساسيًا في بنية معالجات الذكاء الاصطناعي الحديثة.

في هذه التقنية يتم تكديس شرائح 1c-DRAM عموديًا داخل وحدات HBM4 وربطها مع شريحة منطقية بدقة تصنيع 4 نانومتر.

وقد بدأت سامسونج بالفعل الإنتاج الكمي لوحدات HBM4-DRAM التي تحقق سرعات نقل بيانات تتجاوز 11.7 غيغابت في الثانية، متجاوزة معيار JEDEC البالغ 8 غيغابت في الثانية.

توقعات بطفرة في سوق HBM

تتوقع سامسونج أن يتضاعف حجم إيرادات ذاكرة HBM أكثر من ثلاث مرات في عام 2026 مقارنة بالعام السابق. ولذلك تعمل الشركة على توسيع طاقتها الإنتاجية لمواكبة الطلب المتزايد، خاصة من شركات تطوير الذكاء الاصطناعي ومراكز البيانات.

Anbieter zum Thema

zu Matchmaker+