Vitesco Technologies und Onsemi
SiC-Liefervertrag über 1,75 Milliarden Euro
Vitesco Technologies und Onsemi melden den Abschluss eines langfristigen Lieferabkommens für Siliziumkarbid-Produkte im Wert von 1,75 Milliarden Euro über zehn Jahre. Darüber hinaus vereinbaren die beiden Unternehmen Investitionen in die SiC-Kapazitätserweiterung.
Vitesco Technologies, Hersteller moderner Antriebstechnologien und Elektrifizierungslösungen, investiert 230 Millionen Euro in Anlagen bei onsemi zur Herstellung von SiC-Boules, SiC-Wafern und zur Epitaxie, um SiC-Kapazitäten zu sichern.
Basierend auf dieser Investition werden die Anlagen eingesetzt, um SiC-Wafer für den wachsenden Bedarf von Vitesco zu produzieren. Parallel dazu wird Onsemi, Hersteller intelligenter Leistungs- und Sensortechnologie, weiterhin in erheblichem Umfang in die End-to-End-SiC-Lieferkette investieren.
Vitesco Technologies und Onsemi arbeiten zudem bei der Entwicklung von optimierten Kunden-Lösungen zusammen. Die hocheffizienten EliteSiC-MOSFETS von Onsemi werden dabei von Vitesco Technologies in Invertern und Antrieben eingesetzt, um die jüngsten Aufträge sowie zukünftige Projekte bedienen zu können.
»Energieeffiziente Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid stehen vor einem enormen Nachfrageschub. Deshalb ist es für uns von strategischer Bedeutung, gemeinsam mit unserem Partner Onsemi Zugriff auf den gesamten Wertschöpfungsprozess bei SiC zu haben. Durch die Beteiligung bekommen wir auf zehn Jahre und darüber hinaus Liefersicherheit bei einer Schlüsseltechnologie«, sagt Andreas Wolf, Vorstandsvorsitzender von Vitesco Technologies.
Hassane El-Khoury, CEO von onsemi, ergänzt: »Mit dieser Zusammenarbeit kann Vitesco Technologies den Bedarf seiner Kunden nach größeren Reichweiten und mehr Leistung von Elektrofahrzeugen erfüllen. Onsemi stellt dafür herausragende Leistungsmerkmale, Qualität, Liefersicherheit und Fertigung im großen Maßstab bereit, die auf Jahrzehnten der Produktionserfahrung bei Leistungshalbleitern für automobile Anwendungen in der Großserie beruhen.«
SiC-Halbleiter sind eine Schlüsseltechnologie für die Elektrifizierung, weil sie sehr effiziente Leistungselektroniken ermöglichen. Damit verkürzen sich die Ladezeiten, und die Reichweite von Elektroautos steigt. Vor allem bei hohen Spannungslagen wie 800 V sind SiC-Inverter effizienter als Silizium-Modelle. Da 800 V die Voraussetzung für ein schnelles und damit komfortables Hochvoltladen ist, steht der Rohstoff SiC am Anfang eines weltweiten Booms.
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