ESD-Schutz bis 5 kV

MEMS-Schalter für die Messtechnik

26. September 2017, 14:00 Uhr | Eric Carty, Padraig McDaid (Analog Devices)
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ESD-Schutz integrieren

Ausgehend vom MEMS-Schalter ADGM1304 hat ADI den MEMS-Schalter ADGM1004 entwickelt, um durch die Integration von ESD-Schutztechnologie auf Halbleiterbasis das ESD-Verhalten an den HF-Ports zu verbessern. Der ESD-Wert nach dem Human Body Modell (HBM) für den HF-Port des Schalters ADGM1004 wurde auf 5 kV erhöht. Dieser hohe ESD-Schutz wird in der MEMS-Schalterbranche erstmals erreicht.

Der integrierte ESD-Schutz auf Halbleiterbasis ist eine proprietäre Technologie von ADI, die einen sehr hohen ESD-Schutz mit minimalen Auswirkungen auf die HF-Leistungsfähigkeit des MEMS-Schalters ermöglicht. Das ESD-Schutzelement im Gehäuse ist ebenfalls auf Bild 2 erkennbar. Zu sehen ist ein Die, der auf dem MEMS-Die aufgebracht ist, und die Bonddrähte zu den HF-Anschlüssen am Gehäuse. Diese sind optimiert für HF- und ESD-Leistungsfähigkeit. Zur Realisierung des ADGM1004 hat ADI drei proprietäre Lithografietechnologien mit Assembly- und einer MEMS-Capping-Technologie kombiniert.

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Bild 3. MEMS-Schalter-HF-Kenndaten des ADGM1004, unter 10 MHz im linearen Maßstab.
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HF- und 0-Hz-/DC-Fähigkeit vereint

Der Hauptvorteil von MEMS-Schaltern ist, dass sie 0-Hz-DC-Genauigkeit und Breitband-HF-Leistung in einem SMD-Gehäuse mit winzigem Formfaktor vereinen. Bild 3 zeigt die gemessene Einfügungsdämpfung und die Trenn-Isolation für den MEMS-Schalter ADGM1004 mit SP4T-Konfiguration. Die Einfügungsdämpfung beträgt lediglich 0,45 dB bei 2,5 GHz und –3 dB Bandbreite bei bis zu 13 GHz.

Die HF-Belastbarkeit beträgt 32 dBm ohne Kompression und die IP3-Linearität (Third-Order Intercept Point) ist konstant 67 dBm typisch über die Frequenz ohne Leistungsminderung bei sehr niedrigen Frequenzen. Das MEMS-Schalterdesign des ADGM1004 ist also gut für 0Hz/DC-Präzisions- Applikationen geeignet. Tabelle 1 fasst die Spezifikationen zusammen.

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Tabelle 1. ADGM1004-Spezifikationen
© Analog Devices
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Bild 4. Der MEMS-Schalter ADGM1004 (vier Schalter) im Vergleich zu einem typischen elektromechanischen HF-Relais (vier Schalter).
© Analog Devices

Kleine Abmessungen sind eine ganz wesentliche Anforderung für die meisten Märkte. Bild 4 zeigt den Größen­vergleich des SP4T-MEMS-Schalters ADGM1004 gegenüber einem elektromechanischen Relais mit DPDT-Konfiguration (zweipoliger Wechselschalter). Erreichbar ist eine Einsparung beim Bauvolumen von bis zu 95 %.

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Bild 5. Logarithmisch aufgetragene normale Ausfallwahrscheinlichkeit mit 95 % CI (Confidence Interval) für Hot Switching eines 10-dBm-HF-Signals.
© Analog Devices

Die Zykluslebensdauer des ADGM1004 wurde charakterisiert, indem der Schalter unter HF-Leistung ständig umgeschaltet wurde (Hot Switching). Bild 5 zeigt die Lebensdauerwahrscheinlichkeit (Lifetime Probability) beim Hot Switching eines HF-Signals mit 2 GHz und 10 dBm. Die mittlere Betriebsdauer bis zum Ausfall (T50) bei diesen Mustertests liegt im Bereich von 3,4 Milliarden Zyklen.


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