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Spritzgegossenes Power-Modul mit 1200-V-CoolSiC-MOSFETs

02. Dezember 2020, 09:30 Uhr   |  Ralf Higgelke

Spritzgegossenes Power-Modul mit 1200-V-CoolSiC-MOSFETs
© Infineon Technologies

Das CIPOS-Maxi-IPM IM828-XCC von Infineon integriert einen auf der SOI-Technologie basierenden sechskanaligen Gate-Treiber und sechs CoolSiC-MOSFETs mit 1200 V Sperrspannung in einem DIP-36x23D-Gehäuse.

Mit dem CoolSiC CIPOS Maxi IM828 hat Infineon das nach eigener Aussage weltweit erste SiC-basierende 1200-V-IPM im voll vergossenen Gehäuse vorgestellt. Es eignet sich unter anderem für industrielle Motor- und Pumpenantrieben sowie für aktive Filter für Heizung, Lüftung und Klimatisierung (HVAC).

Das intelligente Power-Modul (IPM) IM828-XCC aus der Produktfamilie CIPOS Maxi schließt die Markteinführung von zahlreichen SiC-Lösungen bei Infineon für dieses Jahr ab. Es kann ab sofort bestellt werden und ist für Ströme bis 20 A und Leistungen bis zu 4,8 kW ausgelegt. Das IPM bietet eine kompakte Umrichterlösung mit einer recht hohen Wärmeleitung und einer hohen Bandbreite an Schaltgeschwindigkeiten. Die neue Familie ist ausgelegt für Drehstrom- und Permanentmagnet-Motoren in drehzahlvariablen Antriebsanwendungen.

Infineon, Silicon Carbide, CIPOS Maxi, IPM
© Infineon Technologies

Übersicht zu den wichtigsten Daten des CoolSiC CIPOS Maxi IM828 mit CoolSiC-MOSFETs

Das CIPOS-IPM integriert einen verbesserten, auf der SOI-Technologie (Silicon on Isolator) basierenden sechskanaligen 1200-V-Gate-Treiber und sechs CoolSiC-MOSFETs. Dies soll die Systemzuverlässigkeit erhöhen, die Leiterplattengröße optimieren und die Systemkosten zu senken. Das neue Familienmitglied ist in einem DIP-36x23D-Gehäuse untergebracht – laut Infineon das kleinste Gehäuse für 1200-V-IPMs mit der höchsten Leistungsdichte und der besten Leistung in dieser Spannungsklasse. Die IM828-Serie verfügt über ein isoliertes Dual-in-Line-Gehäuse für guter thermische Leistung und elektrische Isolierung. Sie erfüllt die EMI-Anforderungen und den Überlastschutz selbst anspruchsvoller Designs.

Infineon, Silicon Carbide, CIPOS Maxi, IPM
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Vergleich des neuen SiC-basierten IPMs mit einem vergleichbaren IGBT-basierten Modul

Der sechskanalige SOI-Gate-Treiber des SiC-IPMs integriert die Totzeitregelung und kann dadurch so Schäden durch Transienten vermeiden. Außerdem verfügt er über Unterspannungsschutz (UVLO) an allen Kanälen und Schutzfunktionen gegen Überstromabschaltung. Mit seinem Multifunktionspin soll dieses IPM eine hohe Designflexibilität für verschiedene Zwecke ermöglichen. Zusätzlich zu den Schutzfunktionen ist das IPM mit einem unabhängigen UL-zertifizierten Temperatur-Thermistor ausgestattet. Die Pins der Low-Side-Emitter sind für die Phasenstromüberwachung zugänglich, wodurch das Gerät einfach zu steuern ist.

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