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SOI-Technologie ermöglicht Levelshift von 1200 V

27. November 2020, 07:30 Uhr   |  Ralf Higgelke

SOI-Technologie ermöglicht Levelshift von 1200 V
© Infineon Technologies

Der SOI-basierte EiceDRIVER 6ED2230 mit Levelshift bietet die monolithische Integration von echten Bootstrap-Dioden.

Mit dem Gate-Treiber 6ED2230 hat Infineon seine EiceDRIVER-Familie um ein Bauteil erweitert, das mithilfe der SOI-Technologie (Silicon on Insulator) auch einen Levelshift von 1200 V erreicht.

Auf einer proprietären SOI-Technologie von Infineon basiert der neue EiceDRIVER 6ED2230 mit Levelshift für 1200 V. Damit eignet er sich vor allem für industrielle Antriebe und eingebettete Umrichteranwendungen. Der Treiberbaustein kann ab sofort bestellt werden.

Der 6ED2230 kann bis zu 350 mA abgeben und bis zu 650 mA aufnehmen. Dank integrierter Totzeit verhindert das Bauteil einen Phasenkurzschluss. Integriert ist ebenfalls ein Komparator für Überstromschutz mit einer Referenzschwellen-Genauigkeit von ±5 Prozent. Dieser ermöglicht einen schnellen, wiederholbaren und zuverlässigen Schaltschutz. Die integrierten Bootstrap-Dioden des EiceDRIVERs bieten ein laut Hersteller ultraschnelles Schaltverhalten mit einem sehr niedrigen typischen Widerstand von 40 Ω. Diese einzigartigen Merkmale reduzieren die Stückliste der Applikation und ermöglichen ein robusteres Design bei einem kompakten Formfaktor.

Seine Immunität gegenüber negativer Transientenspannung am Source-Pin von –100 V, mit wiederholbaren, 700 ns langen Impulsen, soll ihn überaus robust machen und einen zuverlässigen Betrieb ermöglichen. Hierzu verfügen die Spannungsversorgungen für die Low- und High-Side zusätzlich über einen unabhängigen Unterspannungsschutz (UVLO). Das besondere DSO-24-Gehäuse legt die Nieder- und Hochspannung auf gegenüberliegende Seiten, um die Luft- und Kriechstrecken weiter zu vergrößern. Dies führt gemäß Human-Body-Model (HBM) zu einer überlegenen ESD-Einstufung von 2 kV.

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