Als ersten Schritt zu einer möglichen mehrjährigen Lieferkooperation für SiC-Halbleiter haben Infineon und Stellantis ein Memorandum of Understanding unterzeichnet. Das potenzielle Beschaffungsvolumen und die Kapazitätsreservierung haben einen Wert von deutlich mehr als 1 Mrd. Euro.
Infineon und Stellantis sind in Gesprächen über die Lieferung von CoolSiC-MOSFETs der zweiten Generation mit den Sperrspannungen 1200 V und 750 V. Nach dem nun erreichten nicht-bindendes Memorandum of Understanding würde Infineon Fertigungskapazitäten reservieren und Bare-Die-Chips in der zweiten Hälfte des Jahrzehnts an die direkten Tier-1-Lieferanten von Stellantis liefern. Das potenzielle Beschaffungsvolumen und die Kapazitätsreservierung haben einen Wert von deutlich mehr als 1 Milliarde Euro. Stellantis würde im Vorhaben unterstützt, Plattformen zu standardisieren, zu vereinfachen und zu modernisieren.
»Wir sind überzeugt von der Elektromobilität und freuen uns, Partnerschaften mit führenden Automobilunternehmen wie Stellantis zu entwickeln, die Elektromobilität zu einem Teil unseres Alltags machen«, sagt Peter Schiefer, Division President Automotive bei Infineon. »Im Vergleich zu herkömmlichen Antriebstechnologien erhöht Siliziumkarbid die Reichweite, Effizienz und Leistung von Elektrofahrzeugen. Mit unserer CoolSiC-Technologie und dank kontinuierlicher Investitionen in unsere Fertigungskapazitäten sind wir gut aufgestellt, um die wachsende Nachfrage nach Leistungselektronik für die Elektromobilität zu bedienen.«
Infineon bereitet sich mit signifikanten Investitionen auf die steigende Nachfrage der Branche vor. Im Jahr 2024 etwa wird eine neue Fabrik für SiC-Technologien in Kulim, Malaysia, die Produktion aufnehmen. Im Einklang mit der auf mehreren Standorten basierenden Fertigungsstrategie ergänzt Infineon damit die bestehenden Kapazitäten in Villach, Österreich.