Designtools / FinFET-Design
Parasitärextraktion für fortgeschrittene FinFET-Technologien
Fortsetzung des Artikels von Teil 2
3d- und 2,5d-Parasitärextraktions-Tools
Unter dem Marktdruck müssen Unternehmen möglichst schnell auf neue Prozessknoten überwechseln. Zur Gewährleistung der ursprünglichen Spezifikationen, untersuchen die Foundries bei Einführung eines neuen Prozesses, zunächst die Performanz typischer Schaltungen. Die Übersetzung der Layoutgeometrie in elektrische Eigenschaften (Kapazitäten und Widerstände) wird hierbei zum kritischen Schritt. Die Parasitärextraktion gibt dazu ein unmittelbares Feedback. Ebenso sind die Herausforderungen der Prozessmodellierung in die Modellierung im Extraktionstool zu übersetzen (Bild 2).
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3d-Feldlöser sind zwar genauer als 2,5d-Tools, aber dafür im Allgemeinen auch langsamer. Der entscheidende Punkt für den Umstieg auf moderne Prozesstechnologien besteht darin, Chips mit höherer Performanz bei geringerer aufgenommener elektrischer Leistung zu entwickeln. Die 1-%-Toleranzreserve etablierter Technologien bei Parasitärextraktion, kann sich bei neuen Technologieknoten auf bis zu 10% verschlechtern. Dies trifft Kapazitäten besonders, was die Vorhersage des Timings erheblich verschlechtert. Wenn diese Verluste inakzeptabel sind, sollte ein Field Solver eingesetzt werden, sodass keine Chip-Performanz verloren geht.
- Parasitärextraktion für fortgeschrittene FinFET-Technologien
- Herausforderungen für FinFET-Designs
- 3d- und 2,5d-Parasitärextraktions-Tools
- Ursachen der Performanzeinbußen
- Virtueller Metall-Fill
- Algorithmische Reduktion von Parasitärelementen
- Induktivitäts-Extraktion bei digitalen Clock-Netzen
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