Kooperation von NXP und Hitachi Energy

Mit SiC-Power-Modulen halten Elektroautos länger durch

20. April 2022, 12:24 Uhr | Kathrin Veigel
NXP Hitachi Energy Power-Modul
Das neue Modul soll die Gesamteffizienz von Elektrofahrzeugen steigern und dazu beitragen, die Reichweite zu erhöhen.
© NXP

Im Zuge der Zusammenarbeit werden ein isolierter Gate-Treiber von NXP und SiC-Power-Module von Hitachi Energy kombiniert. Ziel ist eine schnellere Markteinführung von effizienten, zuverlässigen und funktionssicheren ePowertrain-Lösungen.

NXP Semiconductors hat sich mit Hitachi Energy zusammengetan, um die Verwendung von SiC-Leistungshalbleitermodulen in der Elektromobilität zu beschleunigen. Die gemeinsam entwickelten SiC-MOSFET-basierten Lösungen für Powertrain-Wechselrichter bestehen aus NXPs isolierten HV-Gate-Treibern GD3160 und den RoadPak-Automotive-SiC-MOSFET-Power-Modulen von Hitachi Energy. 

Das Ganze dient dazu, dass Hersteller von Elektrofahrzeugen, wenn sie statt herkömmlicher Silizium-IGBTs SiC-MOSFETs verwenden, die Reichweite und die Gesamteffizienz ihrer Systeme erhöhen können. SiC-MOSFET-Power-Module, die aus Leistungshalbleitermodulen und isolierten Gate-Treibern bestehen, zeichnen sich durch schnellere Schaltgeschwindigkeiten, einen geringeren Einschaltwiderstand und eine reduzierte Wärmeabgabe aus. Das trägt dazu bei, die Größe und die Kosten des Powertrain-Wechselrichters eines Elektrofahrzeugs (xEV) zu senken und die erforderliche Kapazität des Akkublocks zu verringern, wodurch sich die Reichweite des Fahrzeugs erhöht.

Das Hochleistungs-Halbleitermodul RoadPak von Hitachi Energy für den Einsatz in Fahrzeugen leitet Wärme effektiv ab, bietet niedrige Streuinduktivitäten und zeichnet sich durch hohe Belastbarkeit aus, um den anspruchsvollen Umgebungsbedingungen im Automobilbereich standzuhalten. Das ist ein wichtiger Faktor zur Nutzung der vollen Leistung und Vorteile von SiC-MOSFETs. Um eine optimale Leistung zu erzielen, ist das Power-Modul mit dem isolierten Hochspannungs-Gate-Treiber GD3160 von NXP ausgerüstet, der schnell und zuverlässig schaltet und über eine Fehlerschutz-Funktion verfügt.

Das RoadPak-Halbbrücken-Power-Modul kombiniert platzsparend 1200-V-SiC-MOSFETs, integrierte Kühlungs-Pin-Fins und Anschlüsse mit geringer Induktivität. Es kann in E-Bussen, elektrischen Fahrzeugen oder sogar Formel-E-Rennwagen eingesetzt werden.

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