Hochfrequenz-Leistungskomponenten Cree kauft Geschäftsbereich von Infineon

Freut sich über einen starken Jahresauftakt: Dr. Reinhard Ploss, CEO von Infineon
„Für uns ist Cree der ideale Eigentümer für diesen Bereich unseres Geschäfts für Hochfrequenz-Leistungskomponenten“, sagt Dr. Reinhard Ploss, CEO von Infineon.

Cree übernimmt für circa 345 Millionen Euro den größten Teil des Geschäfts für Hochfrequenz-Leistungskomponenten von Infineon. Die Transaktion soll die Stellung von Wolfspeed, einem Geschäftsfeld von Cree, im Markt für Mobilfunk-Infrastruktur stärken.

Die Transaktion ist bereits abgeschlossen und tritt umgehend in Kraft. Sie umfasst folgende Bestandteile:

  • die Haupt-Backend-Fertigungsstätte in Morgan Hill, wo Packaging und Test für LDMOS und GaN-auf-SiC durchgeführt werden,
  • internationale Vertriebsbüros und Service-Ingenieure, die enge Kundenbeziehungen zu den führenden Herstellern von Ausrüstung für Mobilfunk-Infrastruktur haben,
  • etwa 260 Angestellte an den Standorten in den USA, Morgan Hill (Kalifornien) und Chandler (Arizona) sowie in Finnland, Schweden, China und Südkorea,
  • ein Servicevertrag für den Geschäftsübergang, in dessen Rahmen Infineon die wesentlichen Geschäftsvorgänge für etwa 90 Tage ausführen wird und so Kontinuität und einen reibungslosen Übergang gewährleisten will.

Infineon unterstützt die Transaktion mit einer langfristigen Liefervereinbarung für LDMOS-Wafer und zugehörige Komponenten aus seiner Fabrik in Regensburg und durch Packaging und Tests an seinem Standort Melaka, Malaysia. Infineon und Cree arbeiten seit langem zusammen und ergänzen sich nach eigenen Angaben in ihren Geschäftsinteressen. Das Know-how und die Experten für Hochfrequenz-Leistungskomponenten, die von Infineon abgegeben werden, erweitern das bestehende Angebot von Wolfspeed um zusätzliche Technologien, Designkompetenz sowie um Fertigungskapazitäten, Gehäusetechnologie und Kundenbeziehungen.

Das kombinierte Geschäft wird eine führende Marktposition im Vertrieb von Transistoren und MMICs (Monolithisch integrierte Mikrowellenschaltungen) für drahtlose Infrastruktur-Hochfrequenz-Leistungskomponenten haben, die auf den Technologien LDMOS und Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid (GaN-auf-SiC) basieren.