Startseite > Halbleiter > High-Bandwidth-DRAM-Markt explodiert

Plus 147 Prozent

High-Bandwidth-DRAM-Markt explodiert

9. Februar 2024, 7:25 Uhr | Heinz Arnold

Der Markt für Next-Generation-DRAMs (HBM und 3D-DRAMs) bis 2024.

Um nicht weniger als 147 Prozent soll der Umsatz mit High-Bandwidth-DRAMs laut Yole in diesem Jahr in die Höhe springen.

▶ Diesen Artikel anhören

Damit werde der High-Bandwidth-DRAM-Markt (HBM) 2024 auf 14 Mrd. Dollar klettern, bis 2029 erwartet Yole ein durchschnittliches jährliches Wachstum von 38 Prozent auf 37,7 Mrd. Dollar. Zum Vergleich: 2022 hatte der Umsatz mit HBMs noch bei 2,7 Mrd. Dollar gelegen. Hatten die HBMs 2022 erst 3 Prozent des Gesamtumsatzes mit DRAMs ausgemacht, so steigt der Anteil in diesem Jahr auf voraussichtlich 19 Prozent.

Während des langen Abschwungs im DRAM-Markt verharrte die Zahl der ausgelieferten DRAM-Bits auf einem niedrigen Niveau. Eine Ausnahme bildeten allerdings die DRAMs für den Einsatz in KI-Geräten und in der Automobilelektronik. Die generative KI trieb die Nachfrage nach Hochgeschwindigkeits-Speicher-ICs und High-Bandwidth-DRAM-ICs (HBM) nach oben.

»Samsung, SK hynix und Micron verlagerten ihre Fertigungskapazitäten von der Produktion der ohnehin schwach nachgefragten Standard-DRAMs auf die Linien für die HBM-Typen. In diesem Jahr wird sich die Zahl der Wafer, auf denen HBMs hergestellt werden, verdoppeln«, sagt Dr. Simone Bertolazzi, Principal Analyst Memory der Yole Group.

Schon im vergangenen Jahr explodierte der HBM-Markt gemessen in Bits um 93 Prozent, in diesem Jahr sollen es sogar 147 Prozent werden. Zwischen 2023 und 2029 prognostiziert Simone Bertolazzi ein durchschnittliches jährliches Wachstum von 45 Prozent. Die DRAMs für Datenzentren würden dagegen gemessen in Bits um 25 Prozent steigen.