»Mit gemeinsamen SiC-FET-basierten Subsystemen können wir neue Märkte erobern«, erklärt Steve Pietkewicz, Senior VP Power Products von ADI, gegenüber Markt&Technik.
Gemeinsam könnten nun beide Firmen neue Produkte und Roadmaps definieren. »Wir passen unsere Komponenten genau auf die Siliziumkarbidtransistoren von UnitedSiC an, um durchgängige Systeme für den Einsatz in der Leistngslektronik zu entwickeln«, erklärte Steve Pietkewicz, Senior Vice President of Power Products von Analog Devices (ADI) im Gespräch mit Markt&Technik.
Ergebnisse erwartet er schon bald: »Ende Jahres werden die ersten gemeinsamen Komponenten auf den Markt kommen.« Denn UnitedSiC kennt Pietkewicz schon einigen Jahre. Noch als Linear Technology selbständig war, hatte er Kontakt zum Unternehmen aufgebaut, seit zwei Jahren arbeiten das nach der Übernahme durch ADI gebildete Power-Team von ADI und UnitedSiC an der Entwicklung von SiC-Komponenten eng zusammen.
ADI habe jetzt sehr bewusst in diese Firma investiert, das sei einer der Vorteile, die die rund 15 Mrd. Dollar schwere Übernahme von Linear Technology durch ADI im Jahr 2016 gebracht hätte: »Wir haben jetzt als ADI die richtige Größe, vor der Übernahme wäre das nicht möglich gewesen.«
Über die Höhe der Investition in UnitedSiC schweigen sich beide Unternehmen aus, es ist aber offensichtlich ausreichend für ADI, um künftig in der Strategie des SiC-Unternehmens ein gewichtiges Wort mitreden zu können.
Laut Pietkewicz passten die SiC-FETs des Unternehmens und die eigenen Power-Plattformen gut zusammen: »Wir können UnitedSiC über unsere Kontakte in den Power-Markt neue Türen öffnen, umgekehrt können wir auf Basis der SiC-FETs ganz neue und vor allem kosteneffiziente Subsysteme rund um SiC anbieten.«
Das liegt nach den Worten von Chris Dries, President und CEO von UnitedSiC daran, dass sich die eigene SiC-Technik sehr einfach in die Power-Plattformen von ADI integrieren ließen: »Das Power-Team von ADI hatte schnell erkannt, welches Potenzial in unserer Technik steckt.«
Das Power-Team von ADI hat sich laut Pietkewicz sehr genau im SiC-Umfeld umgeschaut, die von UnitedSiC entwickelte Technik sei einzigartig, sowohl was die Leistungsfähigkeit als auch was die Kostenstruktur angehe, etwa die »Cascode«-Technik. Hier sitzen ein SiC-Transistor und ein Silizium-MOSFET in einem Gehäuse, so dass sich der SiC-Transistor über die von Si-MOSFETS bekannten Gate-Spannungen steuern lässt.