Vishay / Siliziumkarbid

SiC-Dioden für 650 V im Merged-PIN-Schottky-Design

28. Januar 2021, 9:00 Uhr | Ralf Higgelke
Vishay, Schottky Diodes, Silicon Carbide, SiliconCarbide, SiC
Die SiC-Dioden von Vishay sind in den Gehäusebauformen TO-220AC mit zwei Pins und TO-247AD mit drei Pins verfügbar.
© Vishay Intertechnology

SiC-Dioden mit Nennströmen von 4 A bis 40 A hat Vishay Intertechnology präsentiert. Mit ihrem Merged-PIN-Schottky-Design sollen die 650-V-Bauteile die Schaltverluste verringern und den Einfluss von Temperaturschwankungen reduzieren.

Zehn Siliziumkarbid-Schottky-Dioden mit einer Sperrspannung von 650 V und Nennströmen von 4 A bis 40 A hat Vishay Intertechnology vorgestellt. Verfügbar sind die Schottky-Dioden mit Nennströmen von 4 A bis 40 A in den Gehäusebauformen TO-220AC mit zwei Pins und TO-247AD mit drei Pins. Sie sind für Betriebstemperaturen bis +175 °C ausgelegt. Lieferbar sind sie ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen bei einer Lieferzeit von zehn Wochen.

Die Besonderheit dieser Bauteile ist das Merged-PIN-Schottky-Design (MPS), das die Schaltverluste verringern. Das MPS-Design schirmt das elektrische Feld gegenüber der Schottky-Barriere ab. Dadurch sinken die Leckströme, und durch Löcherinjektion steigt die Spitzenstrombelastbarkeit. Im Vergleich zu Schottky-Dioden auf der Basis von reinem Silizium sind diese Bauteile laut Hersteller bei vergleichbarer Strombelastbarkeit und nur geringfügig höherer Durchlassspannung wesentlich robuster. Zugleich konnten die Entwickler die Einflüsse von Temperaturschwankungen reduzieren, wodurch sich die Bauteile bei höheren Temperaturen als bisher betreiben lassen sollen. 

Diese Schottky-Dioden können Entwicklern neue Möglichkeiten zur Systemoptimierung in Anwendungen wie PFC-Schaltungen, Schaltnetzteilen mit hoher Leistung und hoher Taktfrequenz und LLC-Wandlern für Server, Telekomausrüstung, USV und Solar-Wechselrichter eröffnen.

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