Infineons "The Answer" (Teil1)
Neuer Ansatz bei High-Power-IGBT-Modulen
8. Mai 2015, 11:33 Uhr |
Von T. Schütze, G. Borghoff, M. Wissen und A. Höhn
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Die Autoren
| Thomas Schütze |
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| studierte Elektrotechnik an der TU Berlin und promovierte dort auf dem Gebiet der Leistungselektronik. Er war fünf Jahre als Entwickler von Traktionsantrieben für U-, S- und Straßenbahnen tätig. Seit 17 Jahren ist er für das Technische Marketing und den Kunden-Support im Bereich High-Power-IGBT-Module bei Infineon zuständig. |
thomas.schuetze@infineon.com
| Georg Borghoff |
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| studierte Maschinenbau an der Fachhochschule Soest. Er war zehn Jahre in verschiedenen Funktionen in der Automobilbranche beschäftigt. Seit elf Jahren arbeitet er bei Infineon im Bereich Package Development High-Power-IGBT-Module als Entwickler und Projektleiter. |
georg.borghoff@infineon.com
| Matthias Wissen |
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| studierte Elektrotechnik an der Bergischen Universität Wuppertal und promovierte dort im Fachgebiet der Mikrostrukturtechnik. Im Anschluss daran sammelte er erste Erfahrungen in der Produktentwicklung von Bipolartransistoren. Seit 2011 ist er bei Infineon in der Entwicklung für High-Power-IGBT-Module tätig. |
matthias.wissen@infineon.com
| Alexander Höhn |
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| studierte Maschinenbau-Automatisierungstechnik mit dem Schwerpunkt Konstruktionstechnik an der Fachhochschule Südwestfalen in Soest. Seit seinem Studienabschluss 2011 arbeitet er bei Infineon als Entwicklungsingenieur. |
alexander.hoehn@infineon.com
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