Für effiziente ZVS-LLC-Resonanzwandler
MDmesh-MOSFETs mit Fast-Recovery-Diode
Die neu vorgestellten MDmesh-DK5-Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics sind VHV-Superjunction-Transistoren (VHV – Very High Voltage) mit Fast-Recovery-Diode. Mit eisen soll sich der Wirkungsgrad verschiedener Leistungswandler-Topologien verbessern lassen.
Zum Beispiel adressieren die MDmesh-DK5-MOSFETs Zero-Voltage-Switching-LLC-Resonanzwandler. Mit ihrer Body-Diode, die sich durch eine kurze Sperrverzögerungszeit auszeichnet, ermöglichen die Bausteine die Implementierung effizienterer ZVS-LLC-Resonanzwandler in Anwendungen, die eine hohe Effizienz über einen weiten Eingangsspannungsbereich benötigen.
Auch andere Brückenwandler wie DC/DC-Aufwärtswandler zum Laden von Batterien profitieren von den niedrigeren Verlusten und den verbesserten Dynamikeigenschaften der MOSFETs.
Erhältlich sind die neuen Superjunction-MOSFETs mit Nennspannungen von 950 bis 1050 V. Mit der DK5-Familie ergänzt ST sein VHV-Superjunction-Portfolio, das Bausteine mit Nennspannungen von 800 V bis 1.500 V umfasst, um sechs Bausteine in den Leistungs-Gehäusen TO-247, TO-247 Long-Lead, Max247 und ISOTOP. Die Massenproduktion der drei Typen STWA40N95DK5, STY50N105DK5 und STW40N95DK5 hat bereits begonnen.
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