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Interview mit Tim McDonald, Infineon

»CoolGaN konkurriert nicht mit CoolMOS«

17. November 2017, 8:17 Uhr | Ralf Higgelke

Tim McDonald ist Senior Director GaN bei Infineon Technologies. Die DESIGN&ELEKTRONIK traf ihn auf der PCIM Europe 2017.

Tim McDonald ist Senior Director GaN bei Infineon. Auf der PCIM Europe 2017 sprachen wir mit ihm über die Zusammenführung der beiden GaN-Programme von International Rectifier und von Infineon, über deren erste verfügbare 600-V-Produkte und über die Lizenzierung der X-GaN-Technologie von Panasonic.

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DESIGN&ELEKTRONIK: Herr McDonald, wie viele Jahre arbeiten Sie nun schon mit Galliumnitrid?

Tim McDonald: Ich bin 2008, also vor neun Jahren, zum GaN-Programm bei International Rectifier gekommen. Dieses lief damals aber schon seit 2003 oder 2004. Bevor ich zum GaN-Programm kam, arbeitete ich bei IR in einer Geschäftseinheit, die GaN einsetzte. Also meine Berufserfahrung mit Galliumnitrid ist tatsächlich größer als die neun Jahre.

Ich erinnere mich noch gut daran, wie International Rectifier die ersten GaN-auf-Silizium-Prototypen anlässlich der electronica 2008 zeigte. Aber seit IR zu Infineon gehört ist es von Ihrer Seite sehr ruhig in Bezug auf Galliumnitrid geworden. Warum?

Sprechen wir zuerst über die beiden GaN-Programme vor der Akquisition. Das von IR begann früher, das von Infineon später. Nur ein paar Stunden, nachdem die Fusion zum Abschluss gebracht worden war, sind die beiden GaN-Teams zusammengekommen. Es war eines der interessantesten Erlebnisse in meiner langen Karriere, vor jemandem zu stehen, der bis gestern unser größter Konkurrent war, und diesem nun zu eröffnen: So und so denken wir über GaN, so und so haben wir dieses oder jenes Problem gelöst. Und wir konnten sehen, wie das jeweils andere Team das gleiche Problem gelöst hat. Dieses Meeting war sehr lustig und wir haben alle viel gelacht.

So verbrachten wir die darauf folgende Zeit damit, diese beiden getrennten Programme zu einem zu verschmelzen. Im ersten Schritt betrachtete das Unternehmen die jeweiligen technologischen Ansätze der beiden vorher getrennten Einzelunternehmen: IR arbeitete an einer GaN-HEMT-Kaskode, Infineon an einem selbstsperrenden Transistor vom Anreicherungstyp. Während IR sehr offen über seine GaN-Aktivtäten sprach, arbeitete Infineon geräuschlos an GaN und kündigte gar nichts dazu an. Nach der Fusion gaben wir gleich auf der darauf folgenden APEC und PCIM bekannt, dass wir nur noch ein einziges Programm haben. (Anm. d. Red.: 2015)

Im zweiten Schritt wurde es um uns wieder still, da wir die Zuverlässigkeitsqualifikation, von der wir gesprochen hatten, erfüllen mussten. Unser Ansatz war, wie Sie hier auf dem Messestand sehen können, GaN für bestimmte Marktsegmente zu qualifizieren. Dabei konzentrierten wir uns als Erstes auf Telekom-Anwendungen und Rechenzentren. Wir wollten keine Erwartungen hinsichtlich Verfügbarkeit bei Kunden aus anderen Marktsegmenten schüren. Hinter den Kulissen haben wir mit den Marktführern in den Bereichen Telekom und Rechenzentren zusammengearbeitet.

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Und nun, da wir unsere Produkte mit ihnen evaluiert haben, gehen wir damit an die Öffentlichkeit, dass unsere GaN-Bauteile für diese Segmente voll qualifiziert sind. Jetzt können wir nach draußen gehen und unsere Kunden in diesen Märkten unterstützen. Im weiteren Verlauf werden wir unser GaN-Portfolio auf andere Anwendungen und Nutzergruppen ausdehnen.

Sie sagten ja, dass Infineon derzeit mit einer Handvoll Schlüsselkunden an den Anwendungen arbeitet. Können Sie uns ein wenig über diese Anwendungen erzählen?

Wie gesagt, zielen wir mit CoolGaN momentan auf Telekom-Anwendungen und Rechenzentren. Kunden in diesem Bereich wollen im Vergleich zu den bestehenden CoolMOS-Lösungen höhere Wirkungsgrade oder höhere Leistungsdichte erzielen. Dennoch konkurriert CoolGaN nicht mit CoolMOS beziehungsweise OptiMOS bei niedrigeren Spannungen, sondern erweitert diese und gibt unseren Kunden ein breiteres Leistungsspektrum.

Wie sieht Infineons aktuelles Produktangebot bei Galliumnitrid also aus?

Wir haben voll qualifizierte 600-V-Komponenten mit einem Einschaltwiderstand von 70 und 190 Milliohm in drei SMD-Gehäuseoptionen. Da ist zum einen das PG-DSO-20 in zwei Konfigurationen, eine für die Rückseitenkühlung, bei dem die Kühlfahne Richtung Leiterplatte geht, und eine für die Oberseitenkühlung für eine erweiterte thermische Anbindung an einen separaten Kühlkörper. Die dritte Gehäuseoption ist ein robustes Leadless-PG-HSOF-8, das wir aus unserem Automotive-Portfolio übernommen haben.