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Dritte Generation an SiC-MOSFETs qualifiziert

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© STMicroelectronics

STMicroelectronics hat die dritte Generation seiner SiC-Technologieplattform vollständig qualifiziert und geht davon aus, erste daraus abgeleitete Produkte noch 2021 zur Marktreife bringen zu können. Ein erster 650-V-MOSFET kostet gerade einmal 5 Dollar.

Die neuen planaren SiC-MOSFETs, die auf der gerade qualifizierten dritten Generation seiner Technologieplattform beruhen, hat STMicroelectronics für anspruchsvolle Automotive-Anwendungen optimiert. Darunter fallen Traktionswechselrichter, On-Bord-Ladegeräte (OBC) und bidirektionale Gleichspannungswandler, aber auch elektrisch betriebene Klimakompressoren. Daneben eignet sich die neue Generation abrer auch für industrielle Anwendungen.

ST wird die Bausteine der dritten Generation in unterschiedlicher Form anbieten, und zwar als Bare-Die-Produkte, als diskrete Leistungshalbleiter beispielsweise im STPAK-, H2PAK-7L-, HiP247-4L- oder HU3PAK-Gehäuse sowie als Power-Module der ACEPACK-Familie. Es wird Bauelemente mit Nennspannungen von 650 V, 750 V und 1200 V geben.

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Als erste Produkte sind der 650-V-Baustein SCT040H65G3AG (40 mΩ) zum Preis von 5,- US-Dollar und ein als Die angebotener 750-V-Baustein (Datenblatt und Preis auf Anfrage) verfügbar.

Im Jahr 2024 rechnet ST laut Edoardo Merli, Power Transistor Macro-Division General Manager und Group Vice President der Automotive and Discrete Group, mit einem Umsatz von 1 Mrd. Euro nur mit Siliziumkarbid-Bausteinen.


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