CEO Simon Yang bezeichnete Xtacking als einen Durchbruch für China: Der Weg zum dominanten Mitspieler auf globaler Ebene sei damit geöffnet.
Yangtze Memory Technology will den Xtacking-Prozess auf dem Flash Memory Summit präsentieren, der gerade im Silicon Valley stattfindet. Der Kern der Technik: Das Speicher-Array und der Logikteil, der für die I/O-Verbindungen zuständig ist, werden auf zwei verschiedenen Wafern gefertigt. Die beiden Wafer werden dann aufeinandergesetzt und über VIAs verbunden. Mit dieser Technik könnten die NAND-Speicher laut Simon Yang Datenübertragungsraten von 3,0 Gbit/s erreichen, ähnlich wie DDR4-DRAMs. Die Entwicklungszeit würde sich durch die getrennte Fertigung von Speicher-Array und Logikteil um 3 Monate reduzieren und die Einführung neuer Produkte auf dem Markt deutlich beschleunigen. Außerdem ließen sich relativ einfach kundenspezifische Abwandlungen realisieren.
Yangtze Memory Technology wurde 2016 gegründet und beschäftigt aktuell über 3000 Mitarbeiter. In Wuhan entsteht eine Fab, in deren Bau 24 Mrd. Dollar fließen sollen. Ende des Jahres will Yangtse Memory Technology die Fertigung von NAND-Flash-ICs mit 32 Layern aufnehmen. Allerdings ist der Markt seit Anfang des Jahres gekippt: Das Angebot übersteigt die Nachfrage, so dass die Preise schon deutlich um 20 bis 30 Prozent gefallen sind. Weitere Preisrückgänge sagen Analysten auch für das kommende Jahr voraus.
Die Marktsituation aber dürfte Yangtze Memory Technology eher weniger interessieren, es kommt der Firma vor allem darauf an, Marktanteile zu gewinnen. Was voraussetzt, dass das Unternehmen die 3D-NAND-Chips mit 32 und dann 64 Layern wirklich in hohen Stückzahlen in hoher Qualität produzieren kann. Ob die Analysten recht behalten werden, die davon ausgehen, dass dies in der geplanten Zeit kaum gelingen könnte?