PV-Wechselrichter
Sanix setzt auf SiC-MOSFETs von Cree
Sanix setzt bei seinen neuen Drei-Phasen-Wechselrichtern mit 9,9 kW auf 1200-V-SiC-MOSFETs von Cree. Die Wechselrichter sind für den kommerzielle PV-Analgen im schnell wachsenden japanischen Markt bestimmt.
Das japanische Unternehmen Sanix setzt bei seinen PV-Wechselrichtern auf die SiC-MOSFETs der Serie »C2M« von Cree. Die Transistoren mit einem Einschaltwiderstand von 80 mΩ und einer Sperrspannung von 1200 V senkten die Verluste der Wechselrichter im Vergleich zu Silizium-Superjunction-MOSFETs um über 30 Prozent.
Die MOSFETs mit der Typenbezeichnung C2M0080120D werden in der primären Umwandlungsstufe der Wechselrichter eingesetzt. Gegenüber 800-V-Si-Superjunction-MOSFETs mit vergleichbaren Eckdaten konnten die Schaltverluste der Wechselrichter mit 9,9 kW Leistung um ein Drittel gesenkt werden.
Die »C2M«-Familie bietet SiC-MOSFETs mit Sperrspannungen von 1200 bis 1700 V und mit Einschaltwiderständen von 280 bis 25 mΩ.
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